量子阱红外探测器的等离激元微腔光耦合：原理、性能优化与应用拓展.docxVIP

量子阱红外探测器的等离激元微腔光耦合：原理、性能优化与应用拓展

一、引言

1.1研究背景与意义

随着红外探测技术在军事、民用等领域的广泛应用，对红外探测器性能的要求也日益提高。量子阱红外探测器（QuantumWellInfraredPhotodetector,QWIP）作为第三代红外探测器的代表之一，凭借其独特的优势在红外探测领域占据着重要地位。自20世纪80年代美国贝尔实验室的B.F.Levine等人首次报道应用GaAs/AlGaAs量子阱材料制备的红外探测器以来，QWIP引发了广泛的研究热潮，并在近几十年取得了长足的发展。

量子阱红外探测器使用带隙比较宽（GaAs为1.43eV）的Ⅲ-Ⅴ族材料，主要有光导型量子阱材料（GaAs/AlGaAs）和光伏型量子阱材料（InAs/InGaSb、InAs/InAsSb）两种类型。与传统的HgCdTe探测器相比，量子阱红外探测器具有更低的暗电流、更高的响应度等优越性。并且，由于成熟的GaAs制造工艺，生产出的量子阱红外探测器具有更好的均匀性，很容易制造出大阵面红外探测器，其无光谱串扰性，在甚长波红外探测和多色探测等领域有着特有的优势，很好地符合第三代红外探测器对大面阵、多色（波段）探测、低成本的要求。

然而，量子阱红外探测器也存在一些局限性。由于跃迁选择定则，量子阱不能直接探测垂直入射辐