CN101165935A 制作存储单元元件的方法 （旺宏电子股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200710161894.2

[51]Int.Cl.

HO1L45/00(2006.01)

G11C11/56(2006.01)

[43]公开日2008年4月23日[11]公开号CN101165935A

[22]申请日2007.9.27

[21]申请号200710161894.2

[30]优先权

[32]2006.10.18[33]US[31]11/550,539

[71]申请人旺宏电子股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区

[72]发明人陈介方

[74]专利代理机构永新专利商标代理有限公司代理人王英

权利要求书3页说明书12页附图8页

[54]发明名称

制作存储单元元件的方法

[57]摘要

一种制造存储单元元件的方法，该元件包含存储材料元素，该存储材料元素可通过施加能量来改变电性，此方法包含沉积导体层，沉积电介质材料层，并将其蚀刻，以制作第一电极与孔洞。在该孔洞中加入存储材料，以制作存储材料元素，该存储材料元素与该第一电极接触。再制作第二电极，与存储材料元素接触。

200710161894.2