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半导体掺杂工艺工程师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.半导体中，硼（B）通常作为______型掺杂剂。

2.扩散工艺按温度可分为高温扩散和______扩散。

3.离子注入中，注入离子的______决定其在半导体中的射程。

4.退火工艺的核心目的之一是______掺杂离子的电活性。

5.磷（P）在硅中的扩散系数随温度升高而______。

6.浅结制备常采用低能量______工艺。

7.当P型掺杂剂浓度高于N型时，半导体整体呈______型。

8.MOSFET源漏区通常采用______掺杂以降低接触电阻。

9.固态扩散常用的掺杂源有______（举1例）。

10.离子注入后，半