CN101246903A 半导体器件及其制作方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200710037679.1

[51]Int.Cl.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L27/02(2006.01)HO1L21/336(2006.01)HO1L21/82(2006.01)

[43]公开日2008年8月20日[11]公开号CN101246903A

[22]申请日2007.2.13

[21]申请号200710037679.1

[71]申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

[72]发明人王津洲

[74]专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人李文红

权利要求书6页说明书12页附图3页

[54]发明名称

半导体器件及其制作方法

[57]摘要

一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括半导体衬底，位于半导体衬底上的栅极、栅极介电层、位于栅极介电层上的栅极，以及半导体衬底内位于栅极沟道层两侧的源极和漏极。本发明半导体器件的特征在于衬底上的栅极沟道层与两侧的源极和漏极的带电离子为相同型态。利用栅极沟道层半导体衬底上掺杂离子浓度与源极和漏极掺杂离子浓度的差异；源/漏极