CN101243556A 包括受应力的栅极金属硅化物层的高性能mosfet及其制作方法 （国际商业机器公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200680030545.0

[51]Int.Cl.

H01L29/78(2006.01)

H01L21/8238(2006.01)

[43]公开日2008年8月13日[11]公开号CN101243556A

[22]申请日2006.8.22

[21]申请号200680030545.0

[30]优先权

[32]2005.8.22[33]US[31]11/208,985

[86]国际申请PCT/US2006/0329742006.8.22

[87]国际公布WO2007/024984英2007.3.1

[85]进入国家阶段日期2008.2.21

[71]申请人国际商业机器公司地址美国纽约

[72]发明人海宁·S·杨

[74]专利代理机构北京市金杜律师事务所代理人王茂华

权利要求书5页说明书17页附图6页

[54]发明名称

包括受应力的栅极金属硅化物层的高性能MOSFET及其制作方法

[57]摘要

本发明涉及包括至少一个场效应晶体管(FET)的半导体器件，所述场效应晶体管包括源区、漏区、沟道区、栅极电介质层、栅电极和一个或更多栅极侧壁间隔层。这种FET的栅电