CN101128922B 用于制作半导体器件的方法 （东京毅力科创株式会社）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101128922B

(45)授权公告日2010.06.09

(21)申请号200580047475.5

(22)申请日2005.11.30

(30)优先权数据

11/045,1242005.01.31US

(85)PCT申请进入国家阶段日

2007.07.30

(86)PCT申请的申请数据

PCT/US2005/0432932005.11.30

(87)PCT申请的公布数据

WO2006/083380EN2006.08.10

(73)专利权人东京毅力科创株式会社地址日本东京都

(72)发明人考利·瓦吉达格特·莱乌辛克

(74)专利代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258

代理人李剑

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

(56)对比文件

JP特开2003-68666A,2003.03.07,全文.JP特开平11-186197A,1999.07.09,全文.CN1404150A,2003.03.19,全文.

US20020100924