CN101222120A 用AlN制作大功率镓砷铝镓砷激光器非吸收窗口的方法 （长春理工大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

HO1S5/16(2006.01)

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200710193582.X

[43]公开日2008年7月16日[11]公开号CN101222120A

[22]申请日2007.12.19

[21]申请号200710193582.X

[71]申请人长春理工大学

地址130022吉林省长春市朝阳区卫星路7186号

[72]发明人刘春玲乔忠良张晶么艳平薄报学高欣王玉霞

权利要求书1页说明书3页附图1页

[54]发明名称

用AIN制作大功率镓砷/铝镓砷激光器非吸收窗口的方法

[57]摘要

本发明一种用AIN制作大功率镓砷/铝镓砷激光器非吸收窗口的方法，属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用AlN材料热导率高，热膨胀系数小，电阻率高，透过率高等的特点，用AIN膜形成一种简单有效的大功率镓砷/铝镓砷激光器非吸收窗口，并用AIN膜代替SiO?作为绝缘膜和腔面抗反射膜，该方法工艺简单，成本低，能提高激光器的COD阈值，延长器件寿命。该技术方案适用于任意条宽的大功率