CN101108723A 一种超微压压力传感器硅芯片制作方法 （温州大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200710069726.0

[51]Int.Cl.

B81C5/00(2006.01)

GO1L1/18(2006.01)

GO1L9/06(2006.01)

[43]公开日2008年1月23日[11]公开号CN101108723A

[22]申请日

[21]申请号

[71]申请人地址

共同申请人

2007.6.27

200710069726.0

温州大学

325035浙江省温州市茶山高教园区

昆山双桥传感器测控技术有限公司

[74]专利代理机构温州高翔专利事务所代理人陈乾康

权利要求书3页说明书8页附图4页

复旦大学

[72]发明人i薛伟沈绍群王文襄鲍敏杭王权王冰

[54]发明名称

一种超微压压力传感器硅芯片制作方法

[57]摘要

本发明涉及一种超微压压力传感器硅芯片的制作方法，利用硅的平面工艺和体微机械加工技术结合，采用集成电路平面工艺技术和硅的各向异性腐蚀，结合压力传感器芯片设计中梁膜结构与平膜双岛结构的优点，采用双岛—梁—膜结构充分集中了应力，在保证高线性精度下，研制了高灵敏度超低微压压力传感器硅微芯片。该方法主要包括氧化一双面光刻对准记