CN101383353A 具有存储单元阵列的存储器及其制作方法 （旺宏电子股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200810212641.8

[43]公开日2009年3月11日

[51]Int.Cl.

HO1L27/115(2006.01)HO1L29/7922006.01)HO1L29/423(2006.01)HO1L29/51(2006.01)

HO1L21/8247(2006.01)HO1L21/336(2006.01)

[11]公开号CN101383353A

[51]Int.Cl.(续)

HO1L21/28(2006.01)

[22]申请日2008.8.27

[21]申请号200810212641.8

[30]优先权

[32]2007.8.27[33]US[31]60/968,076

[32]2008.1.4[33]US[31]61/019,178

[32]2008.7.30[33]US[31]12/182,318

[71]申请人旺宏电子股份有限公司

地址台湾省新竹科学工业园区力行路16号[72]发明人赖升志吕函庭廖健玮

[74]专利代理机构中科专利商标代理有限责任公

司

代理人周国城

权利要求书4页说明书27页附图26页

[54]发明名称

具有存储单元阵列的存储器及其制作方法

[57]摘要

17B势垒