CN112420612B Finfet接触及其形成方法 (台湾积体电路制造股份有限公司).docxVIP

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  • 2026-03-02 发布于山西
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CN112420612B Finfet接触及其形成方法 (台湾积体电路制造股份有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112420612B

(45)授权公告日2025.05.02

(21)申请号202010848997.1

(22)申请日2020.08.21

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112420612A

(43)申请公布日2021.02.26

(30)优先权数据

16/549,0932019.08.23US

(73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人张简鹏崇廖高锋萧钧文何信颖庄胜超

(74)专利代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

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