CN101627458A 具有夹层结构的氮化物半导体结构和制作具有夹层结构的氮化物半导体结构的方法 （克里公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

HO1L21/20(2006.01)

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200880007601.8

[43]公开日2010年1月13日[11]公开号CN101627458A

[22]申请日2008.3.4

[21]申请号200880007601.8

[30]优先权

[32]2007.3.9[33]US[31]11/716,317

[86]国际申请PCT/US2008/0028482008.3.4

[87]国际公布WO2008/112097英2008.9.18

[85]进入国家阶段日期2009.9.8

[71]申请人克里公司

地址美国北卡罗来纳州

[72]发明人A·W·萨克斯勒A·A·小伯克

[74]专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人张雪梅王忠忠

权利要求书5页说明书22页附图9页

[54]发明名称

具有夹层结构的氮化物半导体结构和制作具有夹层结构的氮化物半导体结构的方法

[57]摘要

10A一种半导体结构，包括第一层氮化物半导体材料、在所述第一层氮化物半导体材料上的基本未应变的氮化物夹层、以及在所述氮化物夹层上的第二层氮化物半导体材料。所述氮化物夹层具有第一晶格常数并且可以包括铝和镓并且可以利用n型掺杂剂进行导电掺杂。所述第一层和所述第二层一起具有至少大约0.5μm的厚度。所述氮化物半导体材料可以具有第二晶格常数，使得所述第一层在所述氮化物夹层的一侧可以比所述第二层在所述氮化物夹层的另一侧更多地拉伸应变。

10A

200880007601.8权利要求书第1/5页

2

1.一种半导体结构，包括：

第一层氮化物半导体材料；

在所述第一层氮化物半导体材料上的基本弛豫的氮化物夹层，所述基本弛豫的氮化物夹层具有第一晶格常数，其中所述氮化物夹层包括铝和镓并且利用n型掺杂剂进行导电掺杂；以及

在所述氮化物夹层上的第二层氮化物半导体材料；

其中所述第一层氮化物半导体材料、所述氮化物夹层、以及所述第二层氮化物半导体材料一起具有至少大约0.5μm的厚度；并且

其中所述氮化物半导体材料具有第二晶格常数，使得所述第一层氮化物半导体材料在所述基本弛豫的氮化物夹层的一侧比所述第二层氮化物半导体材料在所述基本弛豫的氮化物夹层的另一侧更多地拉伸应变。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二层氮化物半导体材料在所述基本弛豫的氮化物夹层的一侧压缩应变并且所述第一层氮化物半导体材料可以在所述基本弛豫的氮化物夹层的另一侧拉伸应变。

3.如权利要求1所述的半导体结构，进一步包括：

直接在所述基本弛豫的氮化物夹层上的不连续掩模层。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其中所述不连续掩模层包括SiN和/或MgN。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中所述第一层氮化物半导体材料在所述夹层下具有第一位错密度并且所述第二层氮化物半导体材料在所述夹层上具有比所述第一位错密度低的第二位错密度。

6.如权利要求3所述的半导体结构，其中所述不连续掩模层包括BN。

7.如权利要求3所述的半导体结构，进一步包括直接在所述第一层氮化物半导体材料上的第二不连续掩模层，其中所述氮化物夹层在所述第二不连续掩模层上。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述氮化物夹层利用硅以大约1×101?cm?3到大约1×1021cm?3的浓度进行掺杂。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述氮化物夹层包括

200880007601.8权利要求书第2/5页

3

渐变层。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述氮化物夹层包括多个子层。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述夹层包括多个InA1N:Si/GaN:Si对。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述夹层包括多个InA1GaN:Si/GaN:Si对。

13.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一和第二层氮化物半导体材料的平均应变比不包括所述夹层的相应半导体