CN101587905A 一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法 （上海市纳米科技与产业发展促进中心）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200810037819.X

[51]Int.Cl.

HO1L27/24(2006.01)HO1L21/822(2006.01)G11C11/56(2006.01)

G11C16/02(2006.01)

[43]公开日2009年11月25日[11]公开号CN101587905A

[22]申请日2008.5.22

[21]申请号200810037819.X

[71]申请人上海市纳米科技与产业发展促进中心

地址200237上海市徐汇区嘉川路245号3号楼三楼

共同申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所

[72]发明人周伟民宋志棠钮晓鸣刘彦伯闵国全李小丽万永中张静封松林

权利要求书2页说明书6页附图5页

[54]发明名称

一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法

[57]摘要

本发明是关于纳米同轴环绕栅晶体管相变存储器单元器件及其纳米加工方法。其特征在于：与传统薄膜场效应晶体管(MOSFET)不同的是，在柱(线)状的相变材料周围沉积结缘层后再制作环绕栅，即为同轴环绕栅，作为晶体管的栅极，在柱(线)状相变材料的两端制作源极和漏极。这样的结构即为纳