CN101577229B 半导体元件及其制作方法 (联华电子股份有限公司).docxVIP

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  • 2026-03-01 发布于重庆
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CN101577229B 半导体元件及其制作方法 (联华电子股份有限公司).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101577229B

(45)授权公告日2012.03.28

(21)申请号200810096256.1

(22)申请日2008.05.06

(73)专利权人联华电子股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区

(72)发明人刘珀玮蔡成宗江文泰

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105

代理人彭久云

(51)Int.CI.

HO1L21/335(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

HO1L29/772(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/08(2006.01)

(56)对比文件

US2006/0234455A1,2006.10.19,说明书第34段、35段、39段和附图1-5.

US6689671B1,2004.02.10,全文.

US2006/0079063A1,2006.04.13,全文.

US2007/0010073A1,2007.01.11,全文.审查员陈源

权利要求书2页说明书10页附图7页

(54)发明名称

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