CN108110002A 一种互补型SiC双极集成晶体管及其制作方法 （西安理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108110002A

(43)申请公布日2018.06.01

(21)申请号201711361495.0

(22)申请日2017.12.18

(71)申请人西安理工大学

地址710048陕西省西安市金花南路5号

(72)发明人蒲红斌王曦胡丹丹封先锋

(74)专利代理机构西安弘理专利事务所61214代理人王奇

(51)Int.CI.

HO1L27/082(2006.01)

HO1L21/8228(2006.01)

HO1L29/16(2006.01)

权利要求书3页说明书7页附图6页

(54)发明名称

一种互补型SiC双极集成晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN108110002A本发明公开了一种互补型SiC双极集成晶体管，衬底之上依次设置有八个外延层，钝化层覆盖在各个外延层的表面与侧壁以及第一外延层末端之外衬底的上表面；第八外延层的上端面覆盖有电极一，第八外延层末端之外第七外延层的上端表面覆盖有电极二，第七外延层末端之外第六外延层的上端表面覆盖有电极三，第四外延层末端之外第三外延层的上端表面覆盖有电极四，第三外延层末端之外第二外延层的上端表面覆盖有电极五，第二外延层末端之外第一外延层的上端表面覆盖有电极六。本发明还公开了该种互补型SiC双极集成晶体管的制作方法。本发明pnp晶体管与npn

CN108110002A

CN108110002A权利要求书1/3页

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1.一种互补型SiC双极集成晶体管，其特征在于：包括衬底(1),

衬底(1)的上端面设置有第一外延层(2),即npn晶体管的发射区，该第一外延层(2)的材料为n型SiC,

第一外延层(2)的上端面设置有第二外延层(3),即npn晶体管的基区，该第二外延层

(3)的材料为p型SiC,

第二外延层(3)的上端面设置有第三外延层(4),即npn晶体管的集电区，该第三外延层

(4)的材料为n型SiC,

第三外延层(4)的上端面设置有第四外延层(5),即pn结隔离层的p层，该第四外延层

(5)的材料为p型SiC,

第四外延层(5)的上端面设置有第五外延层(6),即pn结隔离层的n层，该第五外延层

(6)的材料为n型SiC,

第五外延层(6)的上端面设置有第六外延层(7),即pnp晶体管的集电区，该第六外延层

(7)的材料为p型SiC,

第六外延层(7)的上端面设置有第七外延层(8),即pnp晶体管的基区，该第七外延层

(8)的材料为n型SiC,

第七外延层(8)的上端面设置有第八外延层(9),即pnp晶体管的发射区，该第八外延层

(9)的材料为p型SiC,

还包括钝化层(10),钝化层(10)覆盖在各个外延层的表面与侧壁以及第一外延层(2)末端之外衬底(1)的上表面；

第八外延层(9)的上端面覆盖有电极一(11),即pnp晶体管的发射极；

第八外延层(9)末端之外第七外延层(8)的上端表面覆盖有电极二(12),即pnp晶体管的基极；

第七外延层(8)末端之外第六外延层(7)的上端表面覆盖有电极三(13),即pnp晶体管的集电极；

第四外延层(5)末端之外第三外延层(4)的上端表面覆盖有电极四(14),即npn晶体管的集电极；

第三外延层(4)末端之外第二外延层(3)的上端表面覆盖有电极五(15),即npn晶体管的基极；

第二外延层(3)末端之外第一外延层(2)的上端表面覆盖有电极六(16),即npn晶体管的发射极。

2.根据权利要求1所述的互补型SiC双极集成晶体管，其特征在于：所述的衬底(1)厚度为100μm-1000μm,衬底(1)上下端表面积为0.01μm2-2000cm2;第一外延层(2)的厚度为0.1μm-5.0μm,第一外延层(2)的上下端表面积为0.01μm2-2000cm2;第二外延层(3)的厚度为0.05μm-2.0μm,第二外延层(3)的上下端表面积为0.01μm2-2000cm2;第三外延层(4)的厚度为0.2μm-6.0μm,第三外延层(4)的上下端表面积为0.01μm2-2000cm2;第四外延层(5)的厚度为0.1μm-1.0μm,第四外延层(5)的上下端表面积为0.01μm2-2000cm