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国家标准《硅压阻式压力敏感芯片》

编制说明（征求意见稿）

1工作简况

1.1任务来源

本项目是根据国家标准委《关于下达2025年第六批推荐性国家标准计划及相关标准

202534

外文版计划的通知》（国标委发〔〕号）要求，由中国机械工业联合会提出并归口，

由沈阳仪表科学研究院有限公司牵头起草。

计划号T-604；

计划名称：《硅压阻式压力敏感芯片》；

20257~202611

计划周期：年月年月。

1.2制定背景

硅压阻式MEMS压力传感器作为现代工业的核心感知元件，其发展水平直接关系到国

家智能制造的战略实施。根据最新行业数据，2023年中国硅压阻式MEMS压力传感器市

场规模已达到约45.6亿元人民币，较2022年增长17.2%，呈现出强劲的发展态势。这一

增长不仅体现了市场需求的扩张，更反映了我国在高端传感器领域自主化进程的加速。

从全球视角来看，2024年全球MEMS压力传感器市场规模约为31.5亿美元，预计到

2029年将增长至48.2亿美元，年均复合增长率达8.9%。中国市场已成为全球增长最快、

202565

潜力最大的区域市场，预计到年，中国市场规模将突破亿元人民币。在全球半导

体周期波动的背景下，MEMS压力传感器领域展现出显著的抗周期特性和长期确定性，成

为半导体产业中兼具确定性与结构性机会的细分市场。其应用领域主要集中在航空航天、

汽车电子、工业自动化、消费电子、医疗保障等。

中国硅压阻式压力传感器市场呈现“国际主导、国产崛起”的双轨竞争格局。国际巨

头如博世、霍尼韦尔、TEConnectivity等凭借技术积累和品牌优势，仍占据较高市场份额。

但国内企业如沈阳仪表院、敏芯微、汉威科技、歌尔股份、芯动联科等在硅基MEMS工艺、

封装测试、信号调理芯片集成等方面取得显著进展，部分产品性能指标已接近国际先进水

平。尽管硅压阻式压力传感器技术已相对成熟，但在高端应用领域仍存在显著的技术瓶颈：

温度稳定性问题：温度影响是硅压阻传感器的主要技术瓶颈。由于硅材料的温度敏感

性，传感器输出易受环境温度变化影响，导致零点漂移和灵敏度漂移。在宽温域（-40℃

1

至+125℃）应用中，温度补偿成为确保精度的关键技术挑战。

长期稳定性不足：在石油化工、能源监测等工业场景中，传感器需要连续工作数年甚

至更长时间而不需要校准。然而，当前产品在长期稳定性方面仍存在不足，主要表现

为灵敏度衰减和零点漂移，难以满足工业现场免维护的需求。

高温应用受限：虽然碳化硅等宽禁带半导体材料有望解决高温应用问题，但当前主流

硅基传感器的适用温度范围一般限于-40℃～125℃，无法满足航空航天、汽车发动机

等高温环境（200℃）的应用需求。

抗干扰能力弱：在复杂的工业现场环境中，电磁干扰、振动冲击等因素会显著影响传

感器精度。特别是在新能源汽车电机控制、电力电子变换等强电磁干扰场景中，传感

器的抗干扰能力亟待提升。

近年来随着市场和应用领域的不断扩展和更新，原来的产品技术指标已经不能完全满

足现有的客户需求，比如，“热迟滞”指标受到越来越多客户的关注，在本次修订工作中

进行了定义和测试方法的补充；此外市场对“准确度”指标的要求也不断提升。原标准GB/T

288562012

—自实施以来受到行业内广泛的关注和引用，为敏感芯片的研发、制造和应用

提供了明确的技术指导和规范，已经成为国内众多厂商生产、检验、测试的依据。本标准

的更新和升级也将推动相关技术的不断进步和创新，为压力传感器行业的发展注入新的活

力。

1.3主要工作过程

1）成立标准起草组

标准计划下达后，中国机械工业联合会成立标准工作组，由沈阳仪表科学研究院有限

公司负责，本文件起草工作组由以下单位和人员组成：

本文件起草单位：沈阳仪表科学研究院有限公司、沈阳国仪检测技术有限公司（国家

仪器仪表元器件质