SiC功率器件背面减薄工艺研发及设备采购项目可行性研究报告.docx

SiC功率器件背面减薄工艺研发及设备采购项目可行性研究报告

第一章总论

项目概要

项目名称：SiC功率器件背面减薄工艺研发及设备采购项目

建设单位：中科晶能半导体科技有限公司于2023年6月在江苏省无锡市新吴区市场监督管理局注册成立，属于有限责任公司，注册资本金5000万元人民币。主要经营范围包括半导体器件研发、生产、销售；半导体工艺技术开发、技术咨询、技术服务；电子专用设备制造、销售（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。

建设性质：新建

建设地点：江苏省无锡市新吴区无锡国家高新技术产业开发区半导体产业园

投资估算及规模：本项目总投资估算为38650万元，其中一期工程投