集成电路设计基础作业题解答(1～4).pdfVIP

第一次作业：

1、为什么PN结会有单向导电性？

答PN结是由P型半导体和N型半导体结合在一起形成的。P型半导体多子是空穴，N型半导体多子是电

子。当形成PN结后由于载流子的浓度差，电子会向P型侧扩散，空穴会向N型侧扩散。随着扩散的进行，

会在接触处形成一定厚度的空间电荷区，电荷区中的正负离化中心形成内建电场。随着空间耗尽区的扩展

和内建电场的增强，电场作用下的漂移得到加强，扩散随之减弱，最后漂移电流和扩散电流达到平衡。若

给PN结两端加上正电压，外加电场将会削弱内建电场从而加强扩散削弱漂移，此时扩散电流电流大于漂

移电流从而形成正向导通电流。当PN结加上反向偏压后，外加电场和内建电场同向，此时扩散进一步收

到抑制，漂移得到加强。但漂移的少数载流子非常少，所以没能形成大的反向导通电流。这就是PN结的

单向导电性。

2、为什么半导体掺杂后导电能力大大增强

10

答：本征半导体在常温情况下由于热激发产生的空穴电子对浓度大约在10量级。而在常温下本征半导体

的导电能力非常弱。当掺入B或P等杂质后，在常温下的掺杂杂质基本全部离化，杂质的离化而会在价带

或导带产生大量的能做共有化运动的空穴或电子。在杂质没有补偿的情况下，载流子浓度近似等于杂质浓

度，半导体掺杂后n,p大大增加。根据电导率σ=nqµ(n)+pqµ(p)可知，掺杂半导体的电导率大大增加，即

导电能力明显增强。

3、为什么晶体管有放大作用？

答：我们定义晶体管集电极电流和基极电流的比值为晶体管放大倍数。只有当晶体管处于放大状态时才具

有线性放大能力。当BE结正偏，BC结反偏时管子处于放大状态。因为发射极高掺杂，在BE正向导通时，

发射极的大量电子（以NPN管为例）扩散到基区。基区空穴扩散到发射极，而基区浓度远比发射极来得

低，所以电子扩散电流占主要部分。因为基区很薄且载流子寿命很长，到达基区的电子只有一小部分和基

区注入得空穴复合，绝大部分要在反偏的集电结内建电场作用下而漂移到集电极。所以集电极电流与基极

电流的比值比较大，即放大倍数比较大。

第二次作业

1.3、题目略

解答：

（1）①由图可知

22

SLW4560um2700um

BBB

SLW(6525)(122.525)3900um2

BLBLBL

2

S＝95140＝13300um

I内

2

S＝LW＝1510＝150um

E孔E孔E孔

2

S＝LW＝4010＝400um

C孔C孔C孔

②由图可知

DEB15umDEB孔＝15um

DBB孔＝10umDBI15um

DC-I22.5umDBC孔＝17.5um

（2）

(3)各层版图如下(不按次序排放)

5

1.5、题目略设计条件如下：

①单条形基极，单条形发射极，单条形集电极

②工艺允许最小宽度为2u

③外延层厚度和各图形的间距也是2u

④采用标准的PN结隔离双极型工艺

⑤要求管子占有面积最小

解答：

根据以上条件可以得到以下layout

（1）根据以上版图可以计算一个NPN管的版图面积为

2

SLW26um16um416m

8

1105

每平方厘米管子的个数N＝2.410

416

2W