摘要
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随着晶体管特征尺寸的不断缩小,集成电路越来越容易受到恶劣辐射环境中
的高能粒子诱发的软错误的影响。软错误会严重影响电路系统的可靠性,甚至导
致系统的永久性损坏。在高能辐射粒子撞击下,多个敏感节点可能同时受到影
响,导致多节点翻转现象的发生概率增加,提高了集成电路在辐射环境中的故障
风险。因此,设计具有高抗辐射能力的锁存器结构,以有效防止单粒子和多节点
翻转,已成为保障高可靠性电子设备稳定性的重要研究课题。
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