CN101969023A 在硅衬底上制作台阶生长MgxZn1xO薄膜的方法 （长春理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101969023A

(43)申请公布日2011.02.09

(21)申请号201010244531.7

(22)申请日2010.08.04

(71)申请人长春理工大学

地址130022吉林省长春市朝阳区卫星路

7089号

(72)发明人王新向嵘李野王国政端木庆铎田景全

(74)专利代理机构长春科宇专利代理有限责任公司22001

代理人曲博

(51)Int.CI.

HO1L21/02(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图4页

(54)发明名称

在硅衬底上制作台阶生长Mg、Zn?×0薄膜的方法

(57)摘要

CN101969023A在硅衬底上制作台阶生长MgZn1-x0薄膜的方法属于半导体光电子材料制造技术领域。现有技术在硅衬底上引入缓冲层，要么在后续生长的MgZn1-x0薄膜中引入外来杂质，要么造成MgZn1-x0薄膜中的Mg原子或者Zn原子比例失调。本发明在硅衬底上生长Mg、Zn1?×0薄膜之前，在硅衬底表面制作规则分布的台阶，硅衬底表面因此被划分为顶层表面、底层表面两种，顶层表面、底层表面高度相差30～200nm,顶层表面面积之和小于底层表面面积之和。本发明用于在硅衬底上直接制备Mg

CN101969023A

CN101969023A权利要求书1/1页

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1.一种在硅衬底上制作台阶生长MgZn?-x0薄膜的方法，在硅衬底上生长MgZn1-x0薄膜，其特征在于，在硅衬底上生长Mg,Zn??x0薄膜之前，在硅衬底表面制作规则分布的台阶，硅衬底表面因此被划分为顶层表面、底层表面两种，顶层表面、底层表面高度相差30~200nm,顶层表面面积之和小于底层表面面积之和。

2.根据权利要求1所述的生长MgZn1?x0薄膜的方法，其特征在于，在硅衬底表面制作规则分布的台阶的过程为：

A、在硅衬底(1)上涂覆一层抗蚀剂(2);

B、在抗蚀剂(2)上覆盖掩膜版(3),掩膜版(3)的掩膜(4)图形与欲制作台阶的硅衬底表面的顶层表面图形一致，掩膜版(3)的非掩膜部分(5)图形与欲制作台阶的硅衬底表面的底层表面图形一致；

C、光刻曝光抗蚀剂(2);

D、显影抗蚀剂(2),抗蚀剂(2)对应非掩膜部分(5)的部分被溶解，其他部分保留下来；

E、采用腐蚀或者刻蚀的方法加工抗蚀剂(2)被溶解处的硅衬底(1)表面，硅衬底(1)表面因此被划分为顶层表面(6)、底层表面(7)两种，呈现出规则分布的台阶；

3.根据权利要求2所述的生长Mg,Zn?-0薄膜的方法，其特征在于，每个非掩膜部分(5)的图形为圆角正方形，边长为0.1～100μm,或者为圆形，直径为0.1～100μm;各个非掩膜部分(5)阵列分布，轮廓相距0.1～100μm。

4.根据权利要求2所述的生长MgZn?-0薄膜的方法，其特征在于，所述腐蚀或者刻蚀的方法为湿法腐蚀、干法腐蚀或者反应离子刻蚀等方法之一。

CN101969023A说明书1/3页

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在硅衬底上制作台阶生长MgZn1-x0薄膜的方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种在硅衬底上制作台阶生长MgZn1-x0薄膜的方法，属于半导体光电子材料制造技术领域。

背景技术

[0002]1997年，Zn0薄膜受激发射的性能被报道。今天，ZnO薄膜已经成为一种宽禁带透明半导体光电子材料。当在Zn0中掺入Mg元素，形成MgZn1-0合金薄膜，可以使其中的ZnO薄膜的禁带宽度进一步增大，在紫外发光器件和紫外探测器件等领域具有重要应用。申请号为200910066945.2、名称为“具有Al?O?缓冲层的硅衬底Mg,Zn??0薄膜磁控溅射制备方法”的中国发明专利申请公开了一项制备MgZn1-x0薄膜的技术方案。该方案采用磁控溅射方法，先在硅衬底生长Al?O?缓冲层薄膜，然后再在Al?O?缓冲层薄膜上生长MgZn1-x0薄膜。该方法所采用的硅衬底与以往的蓝宝石、氮化镓衬底相比，价格低、易于切割，并且也使得所制备的薄膜器件具备了与电子工业领域的硅工艺集成微电子和光电子技术相兼容的前提。还解决了直接在硅衬底生长MgZn1-x0薄膜出现的晶格失