CN101915620A 一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101915620A

(43)申请公布日2010.12.15

(21)申请号201010257976.9

(22)申请日2010.08.20

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人许向东蒋亚东杨书兵

(51)Int.CI.

G01J5/20(2006.01)

C23C28/04(2006.01)

HO1C7/00(2006.01)

HO1C17/075(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图2页

(54)发明名称

一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜及其制作方法

(57)摘要

CN101915620A本发明公开了一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①清洗衬底，吹干后备用；②利用化学气相沉积系统、弧光放电系统、激光烧蚀沉积系统反应器当中的一种，通过金属催化剂诱导，在清洁衬底的表面直接反应生长网状、或交错互联的碳纳米管膜；③把生长有碳纳米管膜的衬底放入抽为真空的反应器中，利用反应器生长一层氧化钒膜，所生长的氧化钒膜分散在碳纳米管的表面、以及管与管的间隙当中，退火，形成氧化钒-碳纳米管复合膜结构；④冷却至室温后，从反应器中取出；⑤根据需

CN101915620A

CN101915620A权利要求书1/1页

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1.一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①清洗衬底，吹干后备用；

②利用反应器，通过金属催化剂诱导，在清洁衬底的表面直接反应生长成网状、或交错互联的碳纳米管膜；

③把步骤②得到的生长有碳纳米管膜的衬底放入抽为真空的反应器中，利用反应器生长一层氧化钒膜，所生长的氧化钒膜分散在碳纳米管的表面、以及管与管的间隙当中，退火，形成氧化钒-碳纳米管复合膜结构；

④冷却至室温后，从反应器中取出；

⑤根据需要，依次重复碳纳米管生长、氧化钒沉积、和退火步骤，形成氧化钒-碳纳米管多层复合膜结构。

2.根据权利要求1所述的用于红外探测器的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤②中，生长复合膜中一维碳纳米管的反应器为化学气相沉积系统、弧光放电系统、激光烧蚀沉积系统当中的一种。

3.根据权利要求1所述的用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤②中，当采用化学气相沉积系统作为反应生长复合膜中一维碳纳米管的反应器时，采用甲烷、乙烯、乙炔、苯有机物当中的一种或几种有机混合物作为反应气体，所述金属催化剂采用Fe、Co、Ni、Au、Pt、Mo金属当中的一种或几种金属混合物，诱导碳纳米管直接生长在衬底的表面，碳纳米管的生长温度为300～1100℃。

4.根据权利要求1所述的用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，步骤②中所获得的碳纳米管横卧在衬底的表面、呈网状或交错互联结构，碳纳米管为单壁或多壁碳纳米管，碳纳米管的直径为1～50nm,碳纳米管的长度为50～30000nm。

5.根据权利要求1所述的用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤③中，复合膜中氧化钒的制备方法为磁控溅射、电子束蒸发、热蒸发、金属有机化合物化学气相沉积、激光烧蚀沉积、原子层沉积当中的一种；当采用磁控溅射方法时，所用的靶材为金属钒、或钒的氧化物VO,x满足1.0≤x≤2.5,所用的反应气体为氩气与氧气的混合气、且氧气在混合气中的百分比为0.2～20%,沉积温度为25～500℃。

6.一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜，其特征在于，该薄膜是由一维碳纳米管和两维氧化钒薄膜复合而成的氧化钒一碳纳米管复合膜，作为微测辐射热计的热敏电阻材料以及光吸收材料。

7.根据权利要求6所述的用于微测辐射热计的氧化钒薄膜，其特征在于，氧化钒-碳纳米管复合膜内含有的氧化钒为非晶态、或晶态结构，氧化钒的分子式表示为VO,其中，x满足1.0≤x≤2.5,最佳为x=1.5、2.0、2.5。

8.根据权利要求6所述的用于微测辐射热计的氧化钒薄膜，其特征在于，所述的一维碳纳米管分散在氧化钒当中，呈网状、或交错互联结构，碳纳米管为单壁或多壁碳纳米管，碳纳米管的直径为1～50nm,碳纳米管的长度为50～30000nm,碳纳米管在