摘要
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碲烯(Tellurium)作为一种新型层状半导体材料,凭借其独特的物理性质在光
电子器件领域展现出重要应用潜力。其本征p型半导体特性、可调控带隙
(0.35~1.17eV)、高载流子迁移率及宽光谱光响应特性,使其成为高迁移率场效应
晶体管和高效光电探测器的理想材料。本研究基于三碲化锆(ZrTe)前驱体,通过
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