CN101998770A 蚀刻薄膜电阻电路板制作方法 （健鼎（无锡）电子有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101998770A

(43)申请公布日2011.03.30

(21)申请号200910163113.2

(22)申请日2009.08.17

(71)申请人健鼎(无锡)电子有限公司

地址215006江苏省无锡市锡山经济开发区

团结中路6号

(72)发明人杨伟雄范字远谢子明

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

代理人陶凤波

(51)Int.CI.

HO5KHO5K

HO1CHO1C

3/06(2006.01)1/16(2006.01)

17/06(2006.01)

17/24(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图5页

(54)发明名称

蚀刻薄膜电阻电路板制作方法

CN101998770A本发明公开了一种蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，包括提供一堆栈有一金属层及一电阻材料的基板；于该金属层上形成一第一预定图样的第一光阻；实行第一道蚀刻，以图样化该金属层，使电阻材料对应一第一宽度露出；移除第一光阻；形成一第二预定图样的第二光阻；实行第二道蚀刻，以图样化金属层及电阻材料，使因第一道蚀刻所露出的第一宽度电阻材料移除至

CN101998770A

CN101998770A权利要求书1/1页

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1.一种蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

(1)提供一堆栈有一金属层及一电阻材料的基板；

(2)于该金属层上形成一第一预定图样的第一光阻；

(3)实行第一道蚀刻，以图样化所述金属层，使该电阻材料对应一第一宽度露出；

(4)移除该第一光阻；

(5)形成一第二预定图样的第二光阻；

(6)实行第二道蚀刻，以图样化金属层及电阻材料，使因第一道蚀刻所露出的第一宽度电阻材料移除至第二宽度；以及

(7)移除第二光阻，形成具有电阻的电路板。

2.如权利要求1所述的蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，其特征在于，所述基板为双面板。

3.如权利要求2所述的蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，其特征在于，所述制作方法是形成于所述基板的至少一表面。

4.如权利要求1所述的蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，其特征在于，所述基板为多层板。

5.如权利要求1所述的蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，其特征在于，所述电阻材料为合金电阻。

6.如权利要求1所述的蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，其特征在于，所述第一光阻及所述第二光阻是由微影技术形成。

7.如权利要求1所述的蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，其特征在于，所述步骤(5)中的所述第二光阻遮蔽在第一宽度电阻材料上的中心部分。

8.如权利要求1所述的蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，其特征在于，所述第一光阻的第一预定图样定义该电阻的长度。

9.如权利要求1所述的蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，其特征在于，所述第二光阻的第二宽度为电阻的宽度。

CN101998770A说明书1/3页

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蚀刻薄膜电阻电路板制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种蚀刻薄膜电阻电路板制作方法，尤其涉及一种可以形成正确的电阻尺寸的制作方法。

背景技术

[0002]请参阅图3,为文献“薄膜嵌入式电阻(ThinFilmEmbeddedResistors)”,作者为王建涛与席迪可劳斯(JiangtaoWangandSidClouser),为美国古尔德电子公司(GouldElectronicsInc,US)所记载的一种蚀刻薄膜电阻制作流程示意图。如图3A至图3G所示，先形成一有一电阻材料B及一金属层C的基板A,再于该金属层C上形成一预定形状的第一光阻D,此第一光阻D宽度W为电阻的预定宽度，再以蚀刻去除该第一光阻D涵盖范围以外的金属层C及电阻材料B,去除第一光阻D。于金属层C上形成一具有一开窗E1的第二光阻E,该开窗E1长度L为电阻的预定长度，以蚀刻去除开窗E1以下所对应范围的金属层C,以露出对应于开窗E1位置的电阻材料B,去除第二光阻E,便形成具有电阻F的电路板G。

[0003]制作过程中，当蚀刻第一光阻D所涵盖范围以外的金属层C及电阻材料B时，