CN106783903B 防止划片造成短路的cmos图像传感器结构及制作方法 (上海集成电路研发中心有限公司).docxVIP

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  • 2026-03-05 发布于重庆
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CN106783903B 防止划片造成短路的cmos图像传感器结构及制作方法 (上海集成电路研发中心有限公司).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN106783903B公告日2019.12.13

(21)申请号201611233793.7

(22)申请日2016.12.28

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106783903A

(43)申请公布日2017.05.31

(73)专利权人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

专利权人成都微光集电科技有限公司

(72)发明人顾学强赵宇航周伟

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华张磊

(51)Int.CI.

HO1L27/146(2006.01)

审查员姚珂

权利要求书2页说明书6页附图4页

(54)发明名称

防止划片造成短路的CMOS图像传感器结构及制作方法

(57)摘要

CN106783903B本发明公开了一种防止划片造成短路的CMOS图像传感器结构及制作方法,通过在感光芯片和逻辑芯片的内部电路区域外侧设置复合隔离结构,包括形成于感光芯片n型衬底中的深P阱贯通注入区及形成于其内部的P+注入区、形成于介质层中的金属互连

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