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氮化镓基单片集成超大功率LED器件：技术、挑战与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体技术作为现代信息技术的核心支撑，始终处于不断创新与突破的前沿。氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借其卓越的性能优势，如宽带隙、高电子迁移率、高击穿电场和高热导率等，在电子器件、光电子器件以及能源等诸多领域展现出巨大的应用潜力，引发了全球范围内的广泛关注和深入研究。

在光电子领域，氮化镓基LED器件已成为照明、显示和通信等行业的关键技术。传统的照明技术如白炽灯和荧光灯，存在着能耗高、寿命短、发光效率低等问题，难以满足现代社会对节能环保和高效照明的需求。而氮