半极性Ⅲ族氮化物材料：外延生长机制与发光特性的深度探究.docx

半极性Ⅲ族氮化物材料：外延生长机制与发光特性的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，III族氮化物凭借其独特的物理性质，如宽禁带、高电子迁移率、高击穿电场等，在光电器件、电力电子器件等领域展现出了巨大的应用潜力，成为了半导体领域研究的热点之一。传统的极性III族氮化物材料在光电器件应用中取得了显著成就，如氮化镓（GaN）基蓝光发光二极管（LED）的发明，开启了固态照明的新时代，使得照明领域发生了革命性的变化，极大地提高了能源利用效率，减少了能源消耗。在绿光和黄光波段，传统极性III族氮化物材料却面临着严重的效率下降问题，即所谓的“绿光差距”（Gre