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氮化镓器件研发工程师考试试卷及答案

一、填空题（10题，1分/题）

1.氮化镓（GaN）纤锌矿结构晶格常数a约为______nm。

2.室温下GaN的禁带宽度约为______eV。

3.GaN器件最常用的外延生长方法是______（MOCVD/MBE/HVPE）。

4.GaNMOSFET的栅介质常选用______（如Al?O?）。

5.GaN击穿场强约为Si的______倍。

6.AlGaN/GaN异质结2DEG迁移率量级为______cm2/(V·s)。

7.GaNHEMT缓冲层作用是______衬底与GaN的晶格失配。

8.GaN器件常用钝化层材料为______（如SiN?）。

9.高压G