CN113838972B 存储装置及其形成方法 (台湾积体电路制造股份有限公司).docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约2.95万字
  • 约 48页
  • 2026-03-05 发布于山西
  • 举报

CN113838972B 存储装置及其形成方法 (台湾积体电路制造股份有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113838972B

(45)授权公告日2025.05.02

(21)申请号202110056790.5

(22)申请日2021.01.15

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113838972A

(43)申请公布日2021.12.24

(30)优先权数据

17/074,8432020.10.20US

(73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力

行六路八号

(72)发明人闵仲强黄昶智曾元泰曾国权朱益辉

(74)专利代理机构南京正

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档