缺陷调制下二维半导体非线性荧光与吸收特性的深度探究.docxVIP

缺陷调制下二维半导体非线性荧光与吸收特性的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体材料作为现代科技发展的重要基石，在电子、通信、能源等众多领域中发挥着不可或缺的关键作用。自20世纪中叶半导体晶体管诞生以来，半导体技术取得了飞速的发展，推动了计算机、互联网、移动通信等信息技术的巨大变革，深刻地改变了人类的生活和工作方式。随着科技的不断进步，对半导体材料性能的要求也日益提高，传统的半导体材料在某些方面逐渐接近其物理极限，难以满足未来高科技发展的需求。在此背景下，二维半导体材料因其独特的原子结构和优异的物理性质，在过去十几年间受到了广泛的关注和深入的研究。

二维半导体材料是指由原子层厚