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基于特征融合与辅助分类的半监督光刻热点检测技术研究.pdf

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    摘要

    摘要

    随着集成电路技术节点的不断缩小，功耗逐步降低，运行速度显著提高，单位

    面积内的晶体管数量也从数万个跃升至数亿个。然而，技术的不断进步也带来了许

    多设计与生产挑战。在集成电路制造过程中，193nm光源波长与集成电路特征尺寸

    之间的不匹配日益明显。尽管采用了各种分辨率增强技术，一些复杂的芯片版图仍

    可能出现短路和开路缺陷，这些缺陷所在的区域被称为光刻热点。光刻热点不仅会

    降低芯片的制造良率，还会增加生产成本，因此，在芯

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