CN114730685B 使用微粒多束显微镜电压对比成像的方法,电压对比成像的微粒多束显微镜以及使用微粒多束显微镜电压对比成像的半导体结构 (卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司).docxVIP

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  • 2026-03-07 发布于山西
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CN114730685B 使用微粒多束显微镜电压对比成像的方法,电压对比成像的微粒多束显微镜以及使用微粒多束显微镜电压对比成像的半导体结构 (卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114730685B

(45)授权公告日2025.05.06

(21)申请号202080081375.9

(22)申请日2020.10.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114730685A

(43)申请公布日2022.07.08

(30)优先权数据

102019218315.82019.11.27DE

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2022.05.23

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/EP2020/0800902020.10.27(87)PCT国际申请的公布数据

WO

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