4H-SiC IMPATT振荡器特性及微波输出研究.pdfVIP

table{border‑collapse:collapse;}table,th,td{border:1pxsolid#000;}

在脉冲电流为0.35A、持续时间为40ns的情况下测量到的功率为∼ 300mW。占空比为

1:700。功率转换效率为∼ 0.3%。这种相对较低的效率可以解释为二极管在非常接近f的

A

频率下工作。需要注意的是，进一步提高输出功率是可行的，但这种优化尚未进行。所有

测量均在阈值电流附近进行，以避免二极管烧毁的风险。

图34H‑SiCIMPATT振荡器的典型输入电流脉冲及其对应的输出功率脉冲

上迹线：输入电流脉冲（0.35A，40ns）

下迹线：输出功率脉冲

脉冲IMPATT振荡器的主要特征包括随着输入电流增加的阈值行为和由于二极管自热引起

的频率啁啾。微波脉冲顶部的噪声也是脉冲IMPATT振荡器的典型特征。所有这些效

应在所描述的实验中都得到了清晰的观察。这是决定性的，表明制造的4H‑SiC二极

管是产生微波振荡的IMPATT二极管，其是它们具有负阻抗。

结论：微波振荡的观察证明了碳化硅（SiC）适合用于制造冲击雪崩渡越时间二极管（

IMPATT二极管）。尽管碳化硅中的载流子传输和雪崩倍增与其它有本质区别，但可以

使用IMPATT振荡器的一般理论和测量的材料参数来设计碳化硅IMPATT二极管。

table{border-collapse:collapse;}table,th,td{border:1pxsolid#000;}

powerof ∼ 300mWwasmeasuredatapulsecurrentof0.35Afor40ns.Thedutyfactorwas

1:700.Apowerconversionefficiencywas ∼ 0.3%.Thisrelativelysmallefficiencycanbe

exinedbyoperationofthediodesatfrequenciesveryclosetofA.Itshouldbenotedthat

furtherincreasingoftheoutputpowerwasavailable,butthisoptimisationwasnotperformed.All

themeasurementsweremadenearthethresholdcurrenttoavoidtheriskofdiodeburnout.

Fig.3Typicalinputcurrentpulseandcorrespondingoutputpowerpulseof4H-SiC

IMPATToscillator

Toptrace:inputcurrentpulse(0.35A,40ns)

Bottomtrace:outputpowerpulse

ThemainfeaturesofpulsedIMPATToscillatorsarethethresholdbehaviourwithincreasedinput

currentandthefrequencychirpduetodiodeself-heating.Noiseonthetopofmicrowave

pulseisalsotypicalforpulsedIMPATToscillators.Alltheseeffectswereclearl