摘要
摘要
随着集成电路关键尺寸的进一步缩小,性能不断增强,功耗逐渐降低,集成
电路可制造性设计逐渐引起研究人员的关注。在后摩尔时代,集成电路制造工艺
进入纳米级节点,光刻过程中的光学邻近效应引发的版图热点问题已成为制约芯
片良率提升的关键瓶颈。传统基于光刻仿真的检测方法存在计算成本高、效率低
等问题,而基于机器学习的方案受限于特征提取能力不足与样本类别极度不平衡,
难以满足工业化需求。
得益于深度学习
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