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- 2026-03-08 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(45)授权
(10)授权公告号CN106145021B公告日2017.12.29
(21)申请号201510137590.7
(22)申请日2015.03.26
(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106145021A
(43)申请公布日2016.11.23
(73)专利权人中科院南通光电工程中心
地址226017江苏省南通市苏通科技产业
园江成路1088号江成研发园研发北楼
专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
(72)发明人李伟甘甫烷李明贾棋武爱民盛振王曦
(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通
合伙)31219代理人余明伟
(51)Int.CI.
B81B1/00(2006.01)
B81C99/00(2010.01)
HO1S3/08(2006.01)
(56)对比文件
CN102306897A,2012.01.04,
CN204529301U,2015.08.05,
CN101036271A,2007.09.12,
JP特开2011-524021A,2011.08.25,WO2013/152310A1,2013.10.10,
US8320425B1,2012.11.27,
US2005/0254529A1,2005.11.17,
LiHao等.Opticaltotalreflectionandtransmissionwithmodecontrolina
dielectricsubwavelengthnanorodchain.《Chin.Phys.B》.2013,第22卷(第11期),第
117807-1至117807-5页.
审查员冷林霞
权利要求书1页说明书4页附图2页
(54)发明名称
光学微纳谐振腔结构及其制作方法
(57)摘要
CN106145021B本发明提供一种光学微纳谐振腔结构及其制作方法,所述光学微纳谐振腔结构包括两个对工作电磁波具有全反射功能的单排粒子链,所述单排粒子链由多个间隔排列的粒子组成,所述两个单排粒子链之间的间隔距离使得所述光学微纳谐振腔结构的共振波长为工作电磁波的波长。本发明利用了单排粒子链对于特定偏振光的全反射特性,通过优化单排粒子链的结构以及两个单排粒子链之间的距离,获得了一种新型的高品质因子光学微纳谐振腔。本发明利用两个单排粒子链的全反射所设计的谐振腔,具有低损耗、高
CN106145021B
CN106145021B权利要求书1/1页
2
1.一种光学微纳谐振腔结构,其特征在于:
所述光学微纳谐振腔结构包括两个对工作电磁波具有全反射功能的单排粒子链,所述单排粒子链由多个间隔排列的粒子组成,所述两个单排粒子链之间的间隔距离使得所述光学微纳谐振腔结构的共振波长为工作电磁波的波长。
2.根据权利要求1所述的光学微纳谐振腔结构,其特征在于:所述单排粒子链的晶格常数及介质、其各粒子的半径根据光学微纳谐振腔结构工作的特定偏振的电磁波波长确定,以使单排粒子链对所述特定偏振的电磁波波长具有全反射功能。
3.根据权利要求1所述的光学微纳谐振腔结构,其特征在于:所述两个单排粒子链之间的距离为光学微纳谐振腔结构的腔长。
4.根据权利要求1所述的光学微纳谐振腔结构,其特征在于:所述单排粒子链的介质包括Si、Ge、及GaN中的一种。
5.根据权利要求1所述的光学微纳谐振腔结构,其特征在于:所述单排粒子链中各粒子呈直线状周期性排列。
6.根据权利要求1所述的光学微纳谐振腔结构,其特征在于:所述单排粒子链中各粒子的形状为圆球形。
7.一种光学微纳谐振腔结构的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括步骤:
1)根据光学微纳谐振腔结构工作的特定偏振的电磁波波长,设计单排粒子链中各粒子的半径以及单排粒子链的晶格常数,并确定相应的单排粒子链的介质,以使所述单排粒子链对所述特定偏振的电磁波波长有最大的反射率;
2)根据步骤1)中设计的单排粒子链的参数,确定两排粒子链之间的距离,即光学微纳谐振腔结构的腔长,以使光学微纳谐振腔结构的共振波长为工作电磁波的波长。
8.根据权利要求7所述的光学微纳谐振腔结构的制作方法,其特征在于:所述单排粒子链的介质包括Si、Ge、及GaN中
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