CN107464881A 一种面向光解水制氢的集成器件及其制作方法 （华中科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107464881A

(43)申请公布日2017.12.12

(21)申请号201610387877.X

(22)申请日2016.06.02

(71)申请人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人廖广兰孙博史铁林汤自荣刘智勇吴悠妮

(74)专利代理机构华中科技大学专利中心

42201

代理人梁鹏

(51)Int.CL.

HO1L51/42(2006.01)

C25B1/04(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图1页

(54)发明名称

一种面向光解水制氢的集成器件及其制作方法

(57)摘要

CN107464881A本发明属于太阳能利用相关领域，其公开了一种面向光解水制氢的集成器件及其制作方法，所述集成器件包括光阳极、钙钛矿太阳能电池及光阴极，其特征在于：所述光阳极与所述钙钛矿太阳能电池的透明导电基底绝缘贴合，并与所述钙钛矿太阳能电池的对电极电性连接；所述光阳极吸收紫外光及一部分可见光，另一部分可见光穿过所述光阳极激发所述钙钛矿太阳能电池产生偏压；所述对电极形成在所述钙钛矿太阳能电池的钙钛矿层或空穴传输层上，并与所述光阴极绝缘贴合，所述光阴极与所述钙钛矿太阳能电池的透明导电基底电性连接。本发明的集成器件的光阳极及太阳能电池利用太阳光光谱中的不同

CN107464881A

CN107464881A权利要求书1/1页

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1.一种面向光解水制氢的集成器件，其包括光阳极(11)、钙钛矿太阳能电池(12)及光阴极(13),其特征在于：

所述光阳极(11)与所述钙钛矿太阳能电池(12)的透明导电基底绝缘贴合，并与所述钙钛矿太阳能电池(12)的对电极电性连接；所述光阳极(11)采用带隙在2.5eV以上的半导体活性材料薄膜，且所述薄膜厚度小于3μm,使得所述光阳极(11)吸收紫外光而让50%以上的可见光通过，通过所述光阳极(11)的可见光激发所述钙钛矿太阳能电池(12)产生偏压；

所述对电极与所述光阴极(13)绝缘贴合，所述光阴极(13)与所述钙钛矿太阳能电池(12)的透明导电基底电性连接。

2.如权利要求1所述的面向光解水制氢的集成器件，其特征在于：所述光阳极(11)是由Zn0半导体、TiO?半导体、Fe?O?半导体及WO?半导体中的任一种制成的。

3.如权利要求1所述的面向光解水制氢的集成器件，其特征在于：所述光阴极(13)上沉积有如下薄膜中的一种：Pt薄膜、NiMo合金薄膜、MoS?薄膜。

4.如权利要求1所述的面向光解水制氢的集成器件，其特征在于：所述光阳极(11)及所述光阴极(13)暴露出来，所述集成器件的其他部分均被密封。

5.如权利要求1所述的面向光解水制氢的集成器件，其特征在于：所述透明导电基底为柔性导电基底；所述集成器件为柔性集成器件。

6.一种面向光解水制氢的集成器件的制作方法，其特征在于：所述面向光解水制氢的集成器件的制作方法包括以下步骤：

a)在透明导电基底上制备光阳极(11),所述光阳极(11)为带隙在2.5eV以上的半导体活性材料薄膜，所述薄膜厚度小于3μm,使得所述光阳极(11)吸收紫外光而让50%以上的可见光通过；

b)在透明导电基底上制备太阳能电池(12),其余可见光穿过所述光阳极(11)激发所述太阳能电池(12)产生偏压；

c)制备光阴极(13);

d)将所述光阳极(11)的透明导电基底与所述太阳能电池(12)的透明导电基底绝缘贴合，并将所述光阴极(13)与所述太阳能电池(12)的对电极绝缘贴合；

e)将所述光阳极(11)的透明导电基底与所述太阳能电池(12)的对电极电性连接，并将所述光阴极(13)与所述太阳能电池(12)的透明导电基底电性连接。

7.如权利要求6所述的面向光解水制氢的集成器件的制作方法，其特征在于：所述光阳极(11)的透明导电基底上形成有纳米结构，所述纳米结构为以下纳米结构中的一种：纳米薄膜、TiO?纳米颗粒、ZnO纳米棒。

8.如权利要求6所述的面向光解水制氢的集成器件的制作方法，其特征在于：在步骤e)之后还包括对在步骤e)制作成的集成器件进行密封处理的步骤，所述集成器件除所述光阳极(11)及所述光阴极(13)之外的部分均被密封。