CN107248528B 低频率损耗GaN基微波功率器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN107248528B公告日2019.10.11

(21)申请号201710429801.3

(22)申请日2017.06.09

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107248528A

(43)申请公布日2017.10.13

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人杨凌芦浩马晓华康慨

周小伟宓珉瀚祝杰杰郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

H01L29/423(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

HO1L29/778(2006.01)

(56)对比文件

CN106449737A,2017.02.22,

CN201820759U,2011.05.04,

US2014327012A1,2014.11.06,CN106298905A,2017.01.04,

CN101107713A,2008.01.16,

US9245991B2,2016.01.26,

US2014299839A1,2014.10.09,US2013140526A1,2013.06.06,US2015041825A1,2015.02.12,

审查员丁宁

权利要求书1页说明书9页附图2页

(54)发明名称

低频率损耗GaN基微波功率器件及其制作方法

98

9

8

源

势垒层

缓冲层

成核层

衬底

2DEG

漏

3

CN107248528B本发明公开了一种低频率损耗GaN基微波功率器件，自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和势垒层(4),势垒层的两端分别设有源电极(5)和漏电极(6),其中源电极(5)与漏电极(6)之间的势垒层上依次设有SiN钝化层(7)和BN钝化层(8),该两层钝化层的中部刻蚀有开孔，开孔中引出半浮空栅电极(9)。本发明通过采用低介电常数、低电容材料BN与SiN组成复合钝化层，较传统钝化技术相比，减小了栅漏寄生电容和栅源寄生电容，降低了器件的频率损耗，可用于通

CN107248528B

CN107248528B权利要求书1/1页

2

1.一种低频率损耗GaN基微波功率器件的制作方法，包括如下步骤：

1)获取含有衬底、成核层、缓冲层、势垒层的外延基片，并对基片进行清洗；

2)采用感应耦合等离子体ICP设备，在势垒层上进行台面刻蚀，实现有源区域隔离；

3)在台面刻蚀后的势垒层上涂抹光刻胶并光刻出源电极和漏电极图形，再采用电子束蒸发工艺，在源电极和漏电极图形区蒸发欧姆接触金属；

4)在源、漏电极外的势垒层区域利用等离子增强化学气相沉积PECVD淀积SiN薄膜，形成SiN钝化层；

5)利用ICP设备，刻蚀SiN钝化层，对其进行减薄；

6)在铜箔上生长BN薄膜，并将BN薄膜转移至SiN钝化层表面，产生复合钝化层；

7)在复合钝化层涂抹光刻胶并光刻出栅电极图形，利用ICP设备干法刻蚀去除栅下方的钝化层，产生槽栅；

8)采用电子束蒸发工艺，在槽栅内蒸发栅电极金属层，去除光刻胶，完成器件的制作。

2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤6)中将BN薄膜转移至SiN钝化层表面，具体操作步骤如下：

6a)在铜箔上生长BN薄膜；

6b)旋涂苯甲醚溶液PMMA,形成PMMA/BN/Cu结构；

6c)在FeCl?溶液中静置2小时去除铜箔，得到PMMA/BN结构的透明薄膜；

6d)用去离子水反复漂洗，将透明薄膜转移至SiN表面进行贴片；

6e)将贴片后的材料放置于热板上加热，使其SiN与BN结合在一起；

6f)将结合后的材料依次放入丙酮和异丙醇溶液中进行清洗，得到复合钝化层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中步骤2)中利用的ICP设备刻蚀台面，其工艺参数如下：

刻蚀气体为Cl?/BCl?,Cl?流量25sccm,压力为5mTorr,上电极功率为100w,下电极功率为10w,刻蚀时间为40s-100s。

4.根据权利要求1所述的方法，其中步骤5)中利用的ICP设备刻蚀SiN钝化层，其工艺参数如下：

反应气体为CF?和02,CF4流量2