CN107256884B 一种碳化硅功率二极管器件及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN107256884B公告日2019.11.01

(21)申请号201710433427.4

(22)申请日2017.06.09

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107256884A

(43)申请公布日2017.10.17

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

HO1L29/36(2006.01)

HO1L21/329(2006.01)

HO1L29/868(2006.01)

(56)对比文件

US2005/0224838A1,2005.10.13,CN101263606A,2008.09.10,

审查员梁庆然

(72)发明人张金平邹华任敏张波

刘竞秀李泽宏

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所

(普通合伙)51232代理人葛启函

(51)Int.CI.

H01L29/06(2006.01)权利要求书1页说明书9页附图8页

(54)发明名称

一种碳化硅功率二极管器件及其制作方法

(57)摘要

CN107256884B本发明公开了一种碳化硅功率二极管器件及其制作方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过在传统碳化硅器件表面漂移区形成沟槽结构，在沟槽底部形成与上述漂移区掺杂类型相反的高浓度掺杂区，并在沟槽内设置与上述漂移区掺杂类型相反的多晶硅层，使得多晶硅层与沟槽侧壁形成Si/SiC异质结，进而在器件内部集成了一个二极管。本发明通过上述技术手段，降低了器件正向导通压降，同时，由于器件的导电模式由碳化硅PIN二极管的双极导电转变为多子导电，进而改善了器件的反向恢复特性，提高了器件开关速度；并且仍具有PIN二极管反向漏电低，击穿电压高和器件温度稳定性能好的优点。此

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CN107256884B权利要求书1/1页

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1.一种碳化硅功率二极管器件，其元胞结构包括：自下而上依次设置的金属阴极(5)、碳化硅N衬底(4)及碳化硅N外延层(3),其特征在于：所述碳化硅N外延层(3)内部具有P+碳化硅区(6),在所述P+碳化硅区(6)上表面还具有P+多晶硅层(7);所述P+多晶硅层(7)位于碳化硅N外延层(3)的内部及上表面，并且与N外延层(3)相接触使得P型Si和N型SiC形成异质结；所述P+多晶硅层(7)两侧还具有与P+多晶硅层(7)同平面且左右对称设置的第一P+碳化硅区(21)和第二P+碳化硅区(22),P+多晶硅层(7)在碳化硅N外延层(3)内部的深度分别大于第一P*碳化硅区(21)或者第二P*碳化硅区(22)在碳化硅N外延层(3)内部的深度；在P+多晶硅层(7)、第一P+碳化硅区(21)和第二P碳化硅区(22)的上表面还具有金属阳极(1)。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅功率二极管器件，其特征在于，位于碳化硅N外延层(3)上方的P+多晶硅层(7)两侧还具有与P多晶硅层(7)同平面且左右对称设置的第一介质层(8)和第二介质层(81),P+多晶硅层(7)在碳化硅N外延层(3)内部的深度分别大于第一介质层(8)或者第二介质层(81)在碳化硅N?外延层(3)内部的深度；所述第一介质层(8)和第二介质层(81)分别设置对应侧P碳化硅区(21、22)的上表面；所述第一介质层(8)和第二介质层(81)的上表面均具有金属阳极(1)。

3.根据权利要求1至2任一项所述的一种碳化硅功率二极管器件，其特征在于，P+多晶硅层(7)在碳化硅N外延层(3)内部的深度大于P多晶硅层(7)的宽度；P多晶硅层(7)在碳化硅N外延层(3)内部的深度分别大于介质层(8、81)或者P碳化硅区(21、22)的宽度。

4.根据权利要求3所述的一种碳化硅功率二极管器件，其特征在于，P+碳化硅区(6)的宽度大于P+多晶硅层(7)的宽度；P+多晶硅层(7)的宽度大于P+碳化硅区(6)的厚度。

5.根据权利要求1至2任一项或4所述的一种碳化硅功率二极管器件，其特征在于，P碳化硅区(6)下方还具有P型碳化硅区(