CN107256864A 一种碳化硅TrenchMOS器件及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107256864A

(43)申请公布日2017.10.17

(21)申请号201710432726.6HO1L

29/78(2006.01)

(22)申请日2017.06.09

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人张金平邹华刘竞秀李泽宏任敏张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人葛启函

(51)Int.CI.

HO1L27/06(2006.01)

HO1L29/24(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书3页

说明书13页附图7页

(54)发明名称

一种碳化硅TrenchMOS器件及其制作方法

(57)摘要

CN107256864A1233S6本发明公开了碳化硅TrenchMOS器件及其制作方法，属于功率半导体技术领域。本发明鉴于通过外部反并联一个快恢复二极管(FRD)以及直接使用碳化硅TrenchMOS器件的寄生二极管均存在不足，通过在传统器件的P+接触区增设多晶硅区，使得多晶硅与碳化硅外延层材料形成Si/SiC异质结，进而在器件内部集成了一个二极管。本发明显著降低了器件二极管应用时的结压降；并且二极管应用时的导电模式由双极导电转变为单极导电，因此还具有反向恢复时间短，反向恢复电荷少的优点；本发明器件结构仍具有寄生碳化硅二极管反向漏电低，击穿电压高和器件

CN107256864A

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CN107256864A权利要求书1/3页

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1.一种碳化硅TrenchMOS器件，其元胞结构包括：自下而上依次设置的金属漏电极(7)、N衬底(6)及N外延层(5);其特征在于：所述N外延层(5)上层两端分别具有左右对称设置的第一P+多晶硅区(11)和第二P+多晶硅区(111),第一P+多晶硅区(11)和第二P多晶硅区(111)上表面分别设有第一金属电极(12)和第二金属电极(121);在两个P+多晶硅区(11、111)之间的N外延层(5)具有Trench栅结构，所述Trench栅结构包括多晶硅栅(9)、设于多晶硅栅(9)底面及侧壁的栅氧化层(10)以及设于多晶硅栅(9)上表面的金属栅极(8);在第一P多晶硅区(11)与Trench栅结构之间N外延层(5)上层还具有第一Pbase区(4);所述第一Pbase区(4)中具有相互独立的第一N源区(3)和第一P+接触区(2),第一N源区(3)及第一P+接触区(2)上表面具有第一金属源极(1);在第二P+多晶硅区(111)与Trench栅结构之间N外延层(5)上层还具有第二Pbase区(41);所述第二Pbase区(41)中具有相互独立的第二N源区(31)和第二P接触区(21),第二N+源区(31)及第二P+接触区(21)上表面具有第二金属源极(1a);所述Pbase区(4、41)的深度小于P+多晶硅区(11、111)的深度和Trench栅结构的深度；所述第一金属源极(1)与第一金属电极(12)相接触，第二金属源极(1a)和第二金属电极(121)相接触；各电极之间通过介质相互隔离形成左右对称的元胞结构。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅TrenchMOS器件，其特征在于，第一P+多晶硅区(11)和第二P+多晶硅区(111)分别在器件两侧的横向方向上连续或者不连续分布，使得元胞排列为条形排列、方形排列、品字型排列、六角形排列或者原子晶格排列。

3.根据权利要求1或2所述的一种碳化硅TrenchMOS器件，其特征在于，第一P+多晶硅区(11)和第二P+多晶硅区(111)下方还具有与之相接触的第一P+碳化硅区(14)和第二P+碳化硅区(141);所述P+碳化硅区(14、141)的深度大于Trench栅结构的深度。

4.根据权利要求1或2所述的一种碳化硅TrenchMOS器件，其特征在于，第一P+多晶硅区