CN107579115B 一种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管及制作方法 （西安理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN107579115B公告日2020.05.22

(21)申请号201710711313.1

(22)申请日2017.08.18

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107579115A

(43)申请公布日2018.01.12

(73)专利权人西安理工大学

地址710048陕西省西安市金花南路5号

(72)发明人蒲红斌刘青李佳琪杜利祥王雅芳

(74)专利代理机构西安弘理专利事务所61214代理人王奇

(56)对比文件

CN205881908U,2017.01.11,

US6703642B1,2004.03.09,

JP2010147083A,2010.07.01,

RanadeepDuttaetal.0ptimaldesign

oftwolayerednbaseinagateturn-offthyristor.《21stAnnualIEEEConferenceonPowerElectronicsSpecialists》.2002,

审查员张伟兵

(51)Int.CI.

H01L29/745(2006.01)

H01L21/332(2006.01)

权利要求书3页说明书7页附图6页

(54)发明名称

一种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管及制作方法

(57)摘要

CN107579115B本发明公开了一种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管，包括SiC衬底，在SiC衬底之上依次制作有第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层、第五外延层、第六外延层，第六外延层分为多个凸台；在第三外延层上部镶嵌有结终端，并且结终端位于第四外延层和第五外延层的末端之外；还包括绝缘介质薄膜，绝缘介质薄膜覆盖在各个凸台侧壁、各个凸台之间的第五外延层表面以及结终端台面的侧壁与表面；在第六外延层的各个凸台上端面覆盖有阳极；在SiC衬底下端面覆盖有阴极。本发明还公开了该种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管的制作方

CN107579115B

8

8

第六外延层

第五外预层第四外延层

第三外延层

第二外延层

2~

第一外延层

Sic衬底

11

第六外延层

10

CN107579115B权利要求书1/3页

2

1.一种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管，其特征在于：包括SiC衬底(1),该SiC衬底(1)的材料为n型4H-SiC,

在SiC衬底(1)之上制作有第一外延层(2),即n发射区，该第一外延层(2)的材料为n型4H-SiC;

在第一外延层(2)之上制作有第二外延层(3),即p+缓冲层，该第二外延层(3)的材料为p型4H-SiC;

在第二外延层(3)之上制作有第三外延层(4),即p?长基区，该第三外延层(4)的材料为p型4H-SiC;

在第三外延层(4)之上制作有第四外延层(5),即下层薄n基区，该第四外延层(5)的材料为n型4H-SiC;

在第四外延层(5)之上制作有第五外延层(6),即上层薄n基区，该第五外延层(6)的材料为n型4H-SiC;

在第五外延层(6)之上制作有第六外延层(7),即p+发射区，分为尺寸相同的多个凸台，每个凸台的侧壁为平面，该第六外延层(7)的材料为p型4H-SiC;

在第三外延层(4)上部镶嵌有结终端(10),并且结终端(10)位于第四外延层(5)和第五外延层(6)的末端之外，呈p型；

还包括绝缘介质薄膜(8),绝缘介质薄膜(8)覆盖在第六外延层(7)的各个凸台侧壁、各个凸台之间的第五外延层(6)表面以及结终端(10)台面的侧壁与表面，位于各个凸台之间的部分的高度低于凸台的上端面；

在第六外延层(7)的各个凸台上端面覆盖有阳极(9);在SiC衬底(1)下端面覆盖有阴极

(11)。

2.根据权利要求1所述的具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管，其特征在于：所述的第六外延层(7)的各个凸台为叉指结构、平行长条状、圆环形、正方形或渐开线形台面之一，或其组合形状；

各凸台的间距为0.1μm-1cm,各凸台的高度为0.1μm-6.1μm,各凸台的高度不小于p+发射区的厚度。

3.根据权利要求1所述