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《光电子材料与器件》题库试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共20分。请将正确选项的字母填在题后的括号内）

1.下列哪种材料通常表现出直接带隙特性，使其适用于制作高效率发光二极管（LED）？

(A)硅（Si）

(B)砷化镓（GaAs）

(C)锗（Ge）

(D)蓝宝石（Al?O?）

2.在PIN光电二极管中，I-V特性曲线在反向偏压下呈现低电阻区的主要原因是：

(A)A区掺杂浓度高

(B)I区为重掺杂区

(C)I区存在内建电场

(D)光生载流子被内建电场快速分离

3.半导体中，载流子迁移率主要受到以下哪个因素的影响最大？

(A)晶格缺陷

(B)温度

(C)杂质浓度

(D)晶体尺寸

4.与普通LED相比，激光二极管（LD）的主要结构特点之一是具有一个很窄的增益带隙，这通常是为了实现：

(A)更高的发光效率

(B)更好的方向性

(C)更宽的发光光谱

(D)更低的驱动电压

5.光纤通信中，常用作光放大器的半导体材料是：

(A)碲化镉（CdTe）

(B)锗（Ge）

(C)铟镓砷磷（InGaAsP）

(D)铒（Er）

6.光电探测器的响应度（R）定义为单位入射光功率产生的输出电流，其单位通常是：

(A)A/W

(B)W/A

(C)V/W

(D)W/V

7.在半导体PN结中，当外加正向电压时，扩散电流与漂移电流的关系是：

(A)扩散电流大于漂移电流

(B)扩散电流小于漂移电流

(C)扩散电流等于漂移电流

(D)扩散电流与漂移电流无关

8.下列哪种器件主要利用半导体的光伏效应（光生伏特效应）工作？

(A)光电二极管

(B)光电晶体管

(C)发光二极管

(D)激光二极管

9.III-V族化合物半导体（如GaAs,InP）通常具有较高的电子迁移率，这主要归因于其晶体结构属于：

(A)金刚石结构

(B)铜锌矿结构

(C)纤维锌矿结构

(D)NaCl结构

10.硅（Si）是典型的间接带隙半导体，其主要缺点之一是：

(A)载流子寿命长

(B)带隙宽度适中

(C)室温下光吸收系数低

(D)禁带宽度太宽

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填在横线上）

1.半导体中，将电子从价带激发到导带所需克服的能量势垒称为________。

2.光电导型探测器的灵敏度通常随温度的升高而________（填“增加”或“降低”）。

3.LED的发光颜色主要由所使用半导体的________决定。

4.在半导体激光器中，实现粒子数反转分布是产生激光的必要条件之一，通常通过________实现载流子注入。

5.光纤的数值孔径（NA）决定了光纤收集光线的________。

6.当PN结加反向电压时，耗尽层宽度会________（填“变宽”或“变窄”）。

7.光子晶体是一种具有________人工周期性结构介电常数或折射率分布的材料。

8.III-V族化合物半导体材料通常可以通过________方法制备高质量的薄膜。

9.光电探测器的响应时间是指器件输出信号对输入光信号变化响应的快慢，通常希望响应时间________（填“越短”或“越长”）。

10.氮化镓（GaN）基材料及其器件可以在________（填“可见光”或“紫外光”）波段工作。

三、简答题（每题5分，共15分）

1.简述PN结形成的基本过程及其主要特性。

2.与光电二极管相比，avalanchephotodiode（APD）的结构有何主要不同？其利用了什么物理效应来提高探测灵敏度？

3.简述半导体激光器实现光放大（产生激光）的基本条件（至少写出三条）。

四、计算题（每题10分，共20分）

1.一块本征硅（Si）在室温下（T=300K），其禁带宽度Eg=1.12eV。若光照在其上产生了能量为Eph=2.3eV的光子，问一个电子能否被激发到导带？若能，跃迁后电子的动能是多少？（电子电荷e=1.6x10^-19C，普朗克常数h=6.63x10^-34J·s，光速c=3x10^8m/s）

2.一个PIN光电二极管，其探测面积为1mm2，在波长λ=1550nm的单色光照射下，其响应度为0.8A/W。当入射光功率P_in=10μW时，该探测器的输出