CN107256864B 一种碳化硅TrenchMOS器件及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN107256864B

(45)授权公告日2019.05.10

(21)申请号201710432726.6

(22)申请日2017.06.09

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107256864A

(43)申请公布日2017.10.17

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人张金平邹华刘竞秀李泽宏任敏张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人葛启函

(51)Int.CI.

H01L27/06(2006.01)

HO1L29/24(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

(56)对比文件

CN103413824A,2013.11.27,

CN102227000A,2011.10.26,

CN101719495A,2010.06.02,

CN106024857A,2016.1