CN105870582B 太赫兹近场探测器、光电导天线及其制作方法 （深圳市太赫兹系统设备有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN105870582B公告日2017.07.18

(21)申请号201610349988.1

(22)申请日2016.05.24

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105870582A

(43)申请公布日2016.08.17

(73)专利权人深圳市太赫兹系统设备有限公司地址518102广东省深圳市宝安区西乡街

道宝田一路臣田工业区37栋2楼东专利权人深圳市太赫兹科技创新研究院

(72)发明人丁庆彭世昌潘奕李辰

(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224

代理人石佩

(51)Int.CI.

HO1Q1/22(2006.01)

H01Q1/38(2006.01)

GO1N21/3586(2014.01)

(56)对比文件

CN205786306U,2016.12.07,权利要求1-8.

CN

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CN

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102483350

105589119

102692383

203365739

A,2012.05.30,全文.

A,2016.05.18,全文.A,2012.09.26,全文.

U,2013.12.25,全文.

审查员丰学民

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

12114116115

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114

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200

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15

203

(57)摘要

CN105870582B本发明涉及一种太赫兹近场探测器和光电导天线，以及该光电导天线的制作方法。所述光电导天线包括衬底，粘合在衬底上的低温砷化镓波片层，粘合在低温砷化镓波片层上的偶极天线，偶极天线为低温砷化镓薄片，设置在偶极天线上的绝缘层，以及设置在绝缘层上的带孔金属

CN105870582B

CN105870582B权利要求书1/1页

2

1.一种用于太赫兹近场探测的光电导天线，其特征在于，包括：

衬底；

低温砷化镓波片层，粘合在衬底上；

偶极天线，为由低温生长的砷化镓薄膜层蚀刻而成并粘合在低温砷化镓波片层上；

绝缘层，设置在偶极天线上；以及

带孔金属板，设置在绝缘层上。

2.根据权利要求1所述的用于太赫兹近场探测的光电导天线，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。

3.根据权利要求1所述的用于太赫兹近场探测的光电导天线，其特征在于，所述低温砷化镓波片层为方形或者圆形。

4.根据权利要求1所述的用于太赫兹近场探测的光电导天线，其特征在于，所述低温砷化镓波片层与衬底通过光学胶层粘接。

5.根据权利要求1所述的用于太赫兹近场探测的光电导天线，其特征在于，所述偶极天线为两个对称排布的T型低温砷化镓薄片。

6.根据权利要求5所述的用于太赫兹近场探测的光电导天线，其特征在于，所述带孔金属板为铝片，所述铝片上设有孔，所述孔的中心对准所述偶极天线的中心。

7.根据权利要求1所述的用于太赫兹近场探测的光电导天线，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅层。

8.一种太赫兹近场探测器，用于收集透过样本的太赫兹波，其特征在于包括权利要求1-7项中任意一项所述的光电导天线，以及透镜和调整架，所述光电导天线与透镜集成在一起成为光电导探头，而光电导探头设置在调整架上，调整架能够调整样本与光电导探头之间的距离。

9.一种权利要求1-7项中任意一项所述的光电导天线的制作方法，步骤包括：

偶极天线的形成步骤，包括在半绝缘砷化镓衬底上形成隔断层，再在隔断层上低温生长砷化镓薄膜层，并蚀刻所述砷化镓薄膜层形成两个对称排布的T型结构；

低温砷化镓波片层粘合步骤，将经过所述形成步骤获得的偶极天线结构与低温砷化镓波片层粘合，且所述T型结构相较于所述砷化镓衬底邻近所述低温砷化镓波片层；

衬底粘合步骤，将经过所述粘合步骤获得的结构与蓝宝石衬底通过环氧树脂层粘接；

绝缘层形成步骤，包括湿法刻蚀和反应离子刻蚀去除所述砷化镓衬底，并用氟化氢去除所述隔断层，然后在暴露出的低温生长的砷化镓薄膜层上沉积二氧化硅绝缘层；

带孔金属板形成步骤，将带孔金属板设置在所述绝缘层上。

CN105870582B说明书1/4页

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太赫兹近场探测器、光电导天线及其制作方法

技术领域

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