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国家标准

氮化铝单晶复合衬底

编制说明

(征求意见稿)

标准编制组

2025年10月

一、工作简况

1.立项目的和意义

氮化铝是目前宽禁带半导体中的最关键基础材料之一，是全球深

紫外发光二极管主流基板材料，也是潜在的氮化镓功率、射频器件的

衬底材料选择；氮化铝单晶衬底被列入《中国制造2025》重点领域

技术路线图重点发展的战略性先进半导体材料，同时其在《新材料产

2024

业发展指南》、《重点新材料首批次应用示范指导目录（年版）》

（征求意见稿）、《面向2035的新材料强国战略研究》等国家政策文

件中均占有一席之地。氮化铝单晶复合衬底是在异质衬底，例如蓝宝

石、硅、碳化硅等衬底上外延生长单晶氮化铝薄膜，并有效应用于深

紫外发光器件与高功率电力电子器件外延制备等领域，特别是作为深

紫外LED、深紫外激光器与高功率电力电子器件的关键基础衬底材

料，氮化铝的成本与性能直接决定了下游外延工艺的技术门槛与制备

成本，因此尤为重要。众所周知，由于单晶氮化铝材料造价昂贵且重

复性低，尚难以满足规模化生产的迫切需求。因此实现高性能、高良

率且重复性良好的氮化铝单晶复合衬底，成为该方向在产业上突破的

最主要动力之一。而氮化铝单晶复合衬底的发展也即将为氮化物光电

子与电力电子器件的进一步发展提供底层材料基础。

近年来，国内氮化铝单晶相关行业发展迅速，随着技术的不断迭

代与生产能力的不断增强，行业产能规模不断扩大，根据深紫外LED

与功率电子器件需求，我国未来每年所需要的氮化铝单晶复合衬底需

求在百万片规模，而目前由于国际上在氮化铝单晶材料方面对我国实

施禁运封锁，但目前我国所生产的氮化铝单晶复合衬底的产品性能指

标已达到国际领先水平，能够实现年十万片规模产能，且制备技术拥

有完全自主的知识产权，在满足国内客户需求的同时，已经实现对海

外的少量出口。尽管该领域国内氮化铝单晶复合衬底年产量实现近万

片规模，但由于该领域缺乏统一的产品标准，使得各单位所生产的氮

化铝单晶复合衬底品质参差不齐，阻碍了在下游的进一步规模化应用，

因此急需制定相关产品标准促进我国该领域的发展与有效应用，抢占

下一代半导体发展制高点。近年来西方国家对我国半导体方面技术封

锁更加证实了自主知识产权与生产标准的重要性。而氮化铝单晶材料

多年已成为西方国家与日本对我国新材料领域封锁的重中之重。

因此，为改变目前国内氮化铝单晶复合衬底无标准、无规范的状

态，强化关键技术领域标准攻关，进一步完善新型半导体材料的标准

体系，氮化铝单晶复合衬底产品标准的立项是十分有必要且具有重大

意义。

2.任务来源

根据国家标准化管理委员会关于下达国家标准化管理委员会关

于下达2025年第一批推荐性国家标准计划及相关标准外文版计划的

通知(国标委发(2025)3号)的要求，国家标准《氮化铝单晶复合衬底》

项目由松山湖材料实验室牵头起草，计划编号T-469，下

202512718

达日期年月日，项目周期为个月。本文件由全国半导

体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC

203/SC2）提出并归口。

3.主要参加单位、工作成员及其分工

3.1项目主要编制单位情况

标准主编单位松山湖材料实验室，2018年建立以来致力于高科

技新型半导体产品的中试与成果转化工作，是广东省首批建立的四所

省实验室之一，其中第三代半导体团队成功建立了第一条量产级氮化

铝单晶复合衬底中试线，成功实现2~8英寸氮化铝单晶复合衬底并实

现产业转化，月产能5000片(4inch)，氮化铝单晶区域位错密度为~108

/cm2数量级，氮化铝单晶复合衬底相关项目获得2023年度英国伦敦

发明展金奖、2024年度北京市技术发明一等奖等国内外奖项。

北京大学东莞光电研究院（简称“研究院”）于2012年8月成立，

是北京大学与东