CN105865668A 压力传感成像阵列、设备及其制作方法 （北京纳米能源与系统研究所）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN105865668A布日2016.08.17

(21)申请号201510026178.8

(22)申请日2015.01.20

(71)申请人北京纳米能源与系统研究所

地址100083北京市海淀区学院路30号天

工大厦C座

(72)发明人翟俊宜彭铭曾

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021

代理人宋焰琴

(51)Int.CI.

GO1LGO1L

1/16(2006.01)

1/24(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

压力传感成像阵列、设备及其制作方法

(57)摘要

CN105865668A本发明提出一种采用全光方式、基于光致发光原理的压力传感成像阵列、设备及它们的制作方法，所述压力传感成像阵列包括基底(L1)和在基底(L1)上的形成的柱形发光阵列，所述柱形发光阵列由多个有序排列的柱形发光单元组成，每个所述柱形发光单元包括自下而上依次叠置的下导电层(L2)、光吸收层(L3)和上导电层(L4),光吸收层(L3)的带隙能量小于基底(L1)和下导电层(L2)的带隙能量，以使该光吸收层(L3)能够从所述基底(L1)一侧吸收外部入射的激发光的光子。所述设备还包括激发光源(D1)和成像感光元件(D3)。本发明避免了器件自热问题和像素数目

CN105865668A

CN105865668A权利要求书1/2页

2

1.一种压力传感成像阵列，包括基底(L1)和在基底(L1)上形成的柱形发光阵列，所述柱形发光阵列由多个柱形发光单元组成；

每个所述柱形发光单元包括自下而上依次叠置的下导电层(L2)、光吸收层(L3)和上导电层(L4);

所述光吸收层(L3)的带隙能量小于基底(L1)和下导电层(L2)的带隙能量，以使所述光吸收层(L3)能够从所述基底(L1)一侧吸收外部入射的激发光的光子。

2.如权利要求1所述的压力传感成像阵列，其特征在于，所述光吸收层(L3)吸收激发光的光子后，发生辐射复合产生光致荧光(D2),所述光致荧光(D2)透射所述基底(L1)而出射；

或者，所述光吸收层(L3)的带隙能量小于上导电层(L4)的带隙能量，所述光致荧光(D2)透射所述上导电层(L4)而出射。

3.如权利要求1或2所述的压力传感成像阵列，其特征在于，所述基底(L1)是蓝宝石、碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石、石英玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚二甲基硅氧烷。

4.如权利要求1-3任一项所述的压力传感成像阵列，其特征在于，所述下导电层(L2)或上导电层(L4)为n型/p型或者p型/n型半导体材料。

5.如权利要求1-4任一项所述的压力传感成像阵列，其特征在于，所述光吸收层(L3)为GaN基、GaP基、GaAs基二元、三元、四元或多元材料，或者Zn0基、ZnS基、ZnSe基二元、三元、四元或多元材料，或者异质结、量子阱或超晶格材料。

6.如权利要求1-5任一项所述的压力传感成像阵列，其特征在于，所述的光吸收层

(L3)的厚度为1nm～1μm。

7.如权利要求1-6任一项所述的压力传感成像阵列，其特征在于，所述柱形发光单元的密度在1mm2~10?mm2之间。

8.如权利要求1-7任一项所述的压力传感成像阵列，其特征在于，所述柱形发光单元为圆形或者多边形，其直径或者多边形的边长为10nm～1mm。

9.如权利要求1-8任一项所述的压力传感成像阵列，其特征在于，多个所述柱形发光单元形状和尺寸相同。

10.一种制作压力传感成像阵列的方法，包括如下步骤：

步骤S1、在基底(L1)上自下而上依次外延生长下导电层(L2)、光吸收层(L3)和上导电层(L4),得到光致发光材料基片，其中所述光吸收层(L3)的带隙能量小于基底(L1)和下导电层(L2)的带隙能量；

步骤S2、在所述光致发光材料基片的上表面制作有序排列的点阵图形；

步骤S3、在所述光致发光材料基片的上表面具有所述点阵图形的位置形成掩膜材料；

步骤S4、以所述掩膜材料为掩膜层自上而下刻蚀所述上导电层(L4)、光吸收层(L3)和下导电层(L2);

步骤S5、去除所述上导电层(L4)顶端的所述