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- 2026-03-11 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(43)申请公
(10)申请公布号CN105140463A布日2015.12.09
(21)申请号201510456939.3
(22)申请日2015.07.30
(71)申请人电子科技大学
地址611731四川省成都市高新区(西区)西
源大道2006号
(72)发明人李晶泽戴新义周爱军许进
(74)专利代理机构成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124
代理人李凌峰
(51)Int.CI.
HO1MHO1M
HO1M
4/131(2010.01)4/36(2006.01)
4/1391(2010.01)
权利要求书1页说明书6页附图4页
(54)发明名称
一种复合钴酸锂电极及其制作方法
(57)摘要
CN105140463A本发明涉及电池技术。本发明旨在解决现有钴酸锂电极高电位区间性能不够好的问题,提供了一种复合钴酸锂电极及其制作方法,其技术方案可概括为:复合钴酸锂电极,包括常规钴酸锂电极1及包覆在常规钴酸锂电极1上的一层碳酸锂包覆层2,该碳酸锂包覆层2通过射频磁控溅射工艺沉积在常规钴酸锂电极1表面。本发明的有益效果是:包覆层作为人工SEI膜有效的抑制高电位时过渡金属原子向电解液中溶解及电解液的
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