CN105428481B 氮化物底层及其制作方法 （厦门市三安光电科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN105428481B公告日2018.03.16

(21)申请号201510921684.3

(22)申请日2015.12.14

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105428481A

(43)申请公布日2016.03.23

(73)专利权人厦门市三安光电科技有限公司地址361009福建省厦门市思明区吕岭路

1721-1725号

(72)发明人林文禹陈圣昌钟志白徐宸科

(51)Int.CI.

HO1L33/12(2010.01)

HO1L33/00(2010.01)

审查员杨慧敏

权利要求书2页说明书4页附图3页

(54)发明名称

氮化物底层及其制作方法

(57)摘要

CN105428481B本发明提供了一种氮化物底层结构及其制作方法，采用具有一开放式条状孔洞的溅射式A1N层作为缓冲层，从而在氮化物薄膜生长于该缓冲层之前提供应力释放的路径，可以提升氮化物底层结构的晶格质量并且改善表面裂纹。本发

CN105428481B

108

CN105428481B