CN105197870B 自旋极化电流驱动的亚微米纳米马达及其制作方法 （西交利物浦大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN105197870B公告日2017.03.22

(21)申请号201510639455.2

(22)申请日2015.09.30

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105197870A

(43)申请公布日2015.12.30

(73)专利权人西交利物浦大学

地址215123江苏省苏州市工业园区独墅

湖高等教育区仁爱路111号

(72)发明人于昊

(74)专利代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司32103

代理人范晴

(51)Int.CI.

B81B5/00(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

(56)对比文件

CN205061552U,2016.03.02,权利要求1-

9.CN1498416A,2004.05.19,全文.

CN101322299A,2008.12.10,全文.

CN101710744A,2010.05.19,全文.

CN104584416A,2015.04.29,全文.

US2005017598A1,2005.01.27,全文.JP2006345638A,2006.12.21,全文.

审查员薛蕾

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

自旋极化电流驱动的亚微米/纳米马达及其制作方法

(57)摘要

CN105197870B本发明公开了一种自旋极化电流驱动的亚微米/纳米马达及其制作方法，其中马达结构包括：其上制有沟槽的硅基衬底，架设在所述沟槽上方、且其两端通过金属电极固定在所述硅基衬底上的磁性金属纳米线，以及通过导线与所述金属电极相连的电源。该马达制作工艺简单可行，结构性能稳定，容易与现有的微电子器件集成，克服了现有技术中采用生物学或化学方法制作

CN105197870B

CN105197870B权利要求书1/1页

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1.一种自旋极化电流驱动的亚微米/纳米马达，其特征在于它包括：

其上制有沟槽的硅基衬底(1),

架设在所述沟槽上方、且其两端固定在所述硅基衬底(1)上的磁性金属纳米线(2),并且所述磁性金属纳米线(2)的两端分别连接一金属电极(3),

以及

通过导线(4)与两个所述金属电极相连的电源(5)。

2.根据权利要求1所述的自旋极化电流驱动的亚微米/纳米马达，其特征在于：所述硅基衬底(1)为单晶硅基衬底。

3.根据权利要求1所述的自旋极化电流驱动的亚微米/纳米马达，其特征在于：采用光刻-腐蚀技术在所述硅基衬底(1)上形成所述沟槽。

4.根据权利要求1所述的自旋极化电流驱动的亚微米/纳米马达，其特征在于：所述金属电极(3)淀积于所述硅基衬底(1)上。

5.根据权利要求4所述的自旋极化电流驱动的亚微米/纳米马达，其特征在于：所述磁性金属纳米线(2)的两端是通过淀积于所述硅基衬底(1)上的所述金属电极(3)固定在所述硅基衬底(1)上的。

6.根据权利要求1所述的自旋极化电流驱动的亚微米/纳米马达，其特征在于：所述磁性金属纳米线(2)为材质为铁、钴、镍、铁-钴合金、铁-镍合金、钴-镍合金或铁-钴-镍合金。

7.根据权利要求1所述的自旋极化电流驱动的亚微米/纳米马达，其特征在于：所述磁性金属纳米线(2)的直径为20～100纳米，长度为1～10微米。

8.根据权利要求1所述的自旋极化电流驱动的亚微米/纳米马达，其特征在于：所述金属电极的材质为金或银。

9.根据权利要求1所述的自旋极化电流驱动的亚微米/纳米马达，其特征在于：所述电源为交流电源或直流电源。

10.一种如权利要求1～9之一所述的自旋极化电流驱动的亚微米/纳米马达的制作方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

步骤一、在硅基衬底(1)上采用光刻-腐蚀技术制得沟槽；

步骤二、将一段磁性金属纳米线(2)置于所述沟槽之上；

步骤三、在所述硅基衬底(1)上、于所述磁性金属纳米线(2)两端位置分别淀积两个金属电极(3),从而将磁性金属纳米线(2)的两端固定在硅基衬底(1)上、而磁性金属纳米线(2)的中部悬空驾驶在沟槽之上，形成悬臂结构；

步骤四、将所述两个金属电极(3)用导线(4)引出，连接电源(5)。

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