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- 2026-03-10 发布于广东
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计算机硬件技术基础*模块一模拟电子元器件及应用计算机硬件技术基础*模块一模拟电子元器件及应用计算机硬件技术基础*模块一模拟电子元器件及应用计算机硬件技术基础*模块一模拟电子元器件及应用计算机硬件技术基础*模块一模拟电子元器件及应用计算机硬件技术基础*模块一模拟电子元器件及应用计算机硬件技术基础*模块一模拟电子元器件及应用计算机硬件技术基础*模块一模拟电子元器件及应用计算机硬件技术基础*模块一模拟电子元器件及应用计算机硬件技术基础*模块一模拟电子元器件及应用任务1MOS管的识别和检测三、相关知识1.MOS管类型2.MOS管结构及原理3.MOS管特性4.MOS管识别及检测(一)MOS管类型按结构:P沟道和N沟道;按原理:增强型和耗尽型。任务1MOS管的识别和检测(a)N沟道耗尽型(b)P沟道耗尽型(c)N沟道增强型(d)P沟道增强型MOS管电路符号G:栅极;S:源极;D:漏极(二)MOS管结构及原理以N沟道增强型MOS管为例任务1MOS管的识别和检测1.结构:N沟道增强型MOS管如图所示。掺杂浓度较低的P型衬底;金属铝从高掺杂的N+区引出源极S和漏极D;表面二氧化硅(SiO2)绝缘薄层,金属铝层为栅极G;衬底引出引线B,通常在管内与源极S相连接。(二)MOS管结构及原理以N沟道增强型MOS管为例任务1MOS管的识别和检测2.原理:uGS≤0时,管内无导电沟道,MOS管截止。uGS>0时,栅极下面的二氧化硅中产生一个指向P型衬底垂直向下的电场。排斥栅极附近P型衬底的空穴,留下不能移动的负离子,同时吸引衬底中的电子。(二)MOS管结构及原理以N沟道增强型MOS管为例任务1MOS管的识别和检测2.原理:uGS↑→衬底表面的电子↑,uGS≥2~10V(开启电压)时,电子在P型衬底表面形成一个N型薄层,即导电沟道。沟道形成以后,在uDS的作用下,电流iD沿沟道从漏极流向源极,管子导通。任务1MOS管的识别和检测(三)MOS管特性MOS管与晶体管特性基本一致,也具有开关特性和放大特性,可用于构成逻辑门、放大
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