CN105355697B 一种陷光结构和其制作方法以及应用该结构的薄膜太阳能电池 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN105355697B公告日2017.11.24

(21)申请号201510815200.7

(22)申请日2015.11.20

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105355697A

(43)申请公布日2016.02.24

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人郭小伟周勇柳邦

(74)专利代理机构成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230

代理人刘东

(51)Int.CI.

HO1L31/054(2014.01)

HO1L31/0445(2014.01)

审查员廉海峰

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种陷光结构和其制作方法以及应用该结构的薄膜太阳能电池

(57)摘要

105355697BCN本发明涉及一种陷光结构和其制作方法以及应用该结构的薄膜太阳能电池，该陷光结构包括二维直角四棱锥形陷光硅层(4),所述二维直角四棱锥形陷光硅层(4)由微纳周期性且非完全对称的二维直角四棱锥阵列构成，其中单个周期的二维直角四棱锥的形状是