CN105304490B 半导体结构的制作方法 (联华电子股份有限公司).docxVIP

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CN105304490B 半导体结构的制作方法 (联华电子股份有限公司).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN105304490B公告日2020.09.15

(21)申请号201410352445.6

(22)申请日2014.07.23

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105304490A

(43)申请公布日2016.02.03

(73)专利权人联华电子股份有限公司

地址中国台湾新竹市新竹科学工业园区(72)发明人简金城

(56)对比文件

CN103681347A,2014.03.26

CN103681347A,2014.03.26

CN103050533A,2013.04.17

CN102983079A,2013.03.20

CN102214579A,2011.10.12

US2013330916A1,2013.12.12CN103000687A,2013.03.27

审查员丁宁

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

代理人陈小雯

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图5页

(54)发明名称

半导体结

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