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微电子科学与工程（半导体器件应用）试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）

班级______姓名______

第I卷（选择题共40分）

每题只有一个正确答案，请将正确答案的序号填在括号内。(总共8题，每题5分，每题选出答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑。如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案标号。)

1.以下哪种半导体器件常用于放大电信号？（）

A.二极管B.三极管C.场效应管D.晶闸管

2.半导体中参与导电的载流子主要有（）

A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子

3.当PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）

A.变宽B.变窄C.不变D.先变宽后变窄

4.三极管工作在放大区时，其发射结和集电结的状态是（）

A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结和集电结都正偏D.发射结和集电结都反偏

5.场效应管的控制方式是（）

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电流D.电压控制电压

6.半导体器件的反向电流随温度升高而（）

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

7.以下哪种半导体材料是目前应用最广泛的？（）

A.硅B.锗C.砷化镓D.碳化硅

8.集成电路是将多个半导体器件集成在（）上。

A.一块芯片B.一块电路板C.一个封装D.一个系统

第II卷（非选择题共60分）

二、填空题（每空2分，共20分）

把答案填在题中横线上。

1.半导体的导电能力介于______和______之间。

2.PN结具有______特性和______特性。

3.三极管的三个电极分别是______、______和______。

4.场效应管可分为______场效应管和______场效应管。

5.半导体器件的主要参数包括______、______、______等。

三、简答题（每题10分，共20分）

1.简述PN结的形成过程。

2.说明三极管的电流放大作用原理。

四、分析题（共15分）

阅读以下材料，回答问题。

材料：有一个由三极管组成的放大电路，当输入信号为正弦波时，输出信号出现了失真。经检查发现，三极管的静态工作点设置不当。

问题：请分析静态工作点设置不当可能导致的失真类型，并说明如何调整静态工作点来消除失真。（150字到200字之间）

五、设计题（共5分）

设计一个简单的共发射极放大电路，要求画出电路原理图，并标注出三极管的型号、电源电压、偏置电阻等参数。（150字到200字之间）

答案

1.B

2.C

3.B

4.A

5.C

6.A

7.A

8.A

二、

1.导体；绝缘体

2.单向导电；反向击穿

3.发射极；基极；集电极

4.N沟道；P沟道

5.电压；电流；功率

三、

1.当P型半导体和N型半导体结合时，由于P型半导体中空穴多自由电子少，N型半导体中自由电子多空穴少，于是在交界面处会发生电子和空穴的扩散运动。电子从N区向P区扩散，空穴从P区向N区扩散。扩散的结果使P区一侧因失去空穴而留下负离子，N区一侧因失去电子而留下正离子，这样就在交界面两侧形成了一个空间电荷区即PN结。

2.三极管工作在放大区时，发射结正偏，集电结反偏。当基极有一个较小的电流变化时，会引起发射极电流较大的变化，而集电极电流又受基极端电流的控制，且集电极电流的变化量远大于基极电流的变化量，从而实现了电流放大作用。

四、

静态工作点设置不当可能导致饱和失真和截止失真。若静态工作点过高，靠近饱和区，会出现饱和失真；若静态工作点过低，靠近截止区，会出现截止失真。调整静态工作点可通过改变基极偏置电阻来实现。增大基极偏置电阻，可使基极电流减小，静态工作点下移；减小基极偏置电阻，可使基极电流增大，静态工作点上移。

五、

电路原理图：三极管的发射极接地，基极通过一个偏置电阻连接到电源正极，集电极通过一个负载电阻连接到电源正极。标注：三极管型号可选常见的NPN型如9013，电源电压设为+12V，偏置电阻根据三极管特性计算选取，负载电阻根据所需放大倍数确定。